盡管我國高純硅材料產(chǎn)業(yè)在工藝技術方面取得了突破性進展，但仍存在以下幾方面的問題：
一是下游市場在外，盲目擴產(chǎn)風險大
目前我國有十幾家企業(yè)已經(jīng)開工建設高純硅的生產(chǎn)線，如果都按計劃建設完成，預測2008年我國高純硅的生產(chǎn)能力將達到2萬噸左右，到2010年將有可能超過6萬噸。我國高純硅產(chǎn)業(yè)鏈的主要下游市場在國外，國內(nèi)太陽能并網(wǎng)發(fā)電價格政策尚未出臺，市場發(fā)展緩慢，一旦以上項目均按計劃建成，勢必面臨產(chǎn)能過剩的局面，威脅行業(yè)的發(fā)展。
二是高純硅項目無序上馬，低水平重復建設現(xiàn)象嚴重
高純硅材料產(chǎn)業(yè)的投資資金和技術門檻都很高，一個西門子法千噸規(guī)模的高純硅項目，投資在10億元人民幣左右。目前，我國正在建設的高純硅項目，很多項目是“翻版”項目，工藝技術裝備基本雷同，總體技術水平有待驗證或完善提高。如果形成無序上馬、低水平重復建設的局面，勢必帶來行業(yè)混亂，造成資源和能源的浪費，給企業(yè)和國家造成損失。
三是國內(nèi)整體技術水平與國外先進水平尚存在差距
目前國內(nèi)千噸級規(guī)�；a(chǎn)核心技術尚未完全掌握，與世界先進水平還存在一定的差距。已生產(chǎn)出的高純硅材料技術經(jīng)濟指標普遍不高，產(chǎn)品缺乏國際競爭力。
四是人才隊伍嚴重缺乏，創(chuàng)新能力不強
我國高純硅在國內(nèi)仍然屬于新興產(chǎn)業(yè)，技術貯備和人才缺乏是行業(yè)發(fā)展所面臨的主要困難。
五是產(chǎn)品質量參差不齊，有待技術標準規(guī)范市場
目前國內(nèi)企業(yè)生產(chǎn)的高純硅材料質量基本在國標電子級2級到3級之間，少量達到電子級1級水平，僅能滿足8英寸以下半導體硅片的制備要求；太陽能級高純硅產(chǎn)品質量也不是很穩(wěn)定，需要盡快建立國家標準統(tǒng)一規(guī)范行業(yè)及市場。
六是國內(nèi)大部分已建和再建生產(chǎn)線對循環(huán)經(jīng)濟和副產(chǎn)物綜合利用等問題考慮不足。
由于采用西門子法生產(chǎn)高純硅會產(chǎn)生大量的四氯化硅等副產(chǎn)物，如不妥善處理，將會對產(chǎn)品成本、環(huán)境保護等帶來不利影響。四氯化硅氫化及綜合利用技術難度大，國內(nèi)企業(yè)正在積極攻克，只有實現(xiàn)生產(chǎn)線上的連續(xù)運行，才能形成高純硅生產(chǎn)系統(tǒng)的閉路循環(huán)。
建議：
首先，加強創(chuàng)新能力建設，支持創(chuàng)新技術研發(fā)平臺建設高純硅材料工程實驗室，加大技術研發(fā)與集成創(chuàng)新，并結合引進技術的消化吸收，提高產(chǎn)業(yè)化技術水平。
其次，由于多晶硅生產(chǎn)系統(tǒng)物料多為易燃、易爆介質，非標設備多、系統(tǒng)復雜，冷熱平衡要求高、技術難度大，加上多晶硅行業(yè)規(guī)模小，專業(yè)技術人才匱乏等原因，有些企業(yè)通過挖人或引進局部技術、單體設備等辦法匆忙開工建設，導致新建項目可能會面臨技術的可靠性、系統(tǒng)安全性、環(huán)保、投資和知識產(chǎn)權糾紛等風險，建議想上多晶硅的企業(yè)審慎行事，減少或避免不必要的浪費。建議國家加強高純硅材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展的正確引導，重點支持有技術和產(chǎn)業(yè)化基礎的企業(yè)進一步開發(fā)技術，綜合利用，擴產(chǎn)建設。建議各地方政府深入了解產(chǎn)業(yè)狀況，不要盲目重復建設，嚴格從節(jié)能、環(huán)保等方面控制項目的備案。保證多晶硅產(chǎn)業(yè)和諧、健康、穩(wěn)定、持久地發(fā)展。
第三，高純硅項目是技術密集的工程化項目，技術集成必須與關鍵技術裝備相結合，提高我國高純硅核心裝備制造業(yè)水平，從而提升產(chǎn)業(yè)競爭實力。
第四，開展太陽能應用技術研究，降低成本，推動光伏太陽能電池應用市場的普及，建議國家出臺扶持光伏發(fā)電上網(wǎng)優(yōu)惠政策，引導國內(nèi)市場發(fā)展。
