李 曹1,2 劉孝波1
（1.中國科學院成都有機化學研究所，四川 成都，610041；2.中國科學院研究生院，北京，100039）
摘要：通過溶膠–凝膠法原位合成具有較高介電常數(shù)的聚芳醚腈的TiO2雜化薄膜，采用紅外光譜、X射線光電子能譜和掃描電子顯微鏡分析表明，TiO2以納米離徑均勻分散在薄膜中。薄膜的介電常數(shù)與TiO2的含量呈線性增長關(guān)系，在ω(TiO2)為20％時達到6.21，并且介電強度沒有明顯的下降。綜合各項性能分析顯示ω(TiO2)為15％的雜化薄膜具有優(yōu)良的力學性能、熱性能和介電性能。
關(guān)鍵詞：聚芳醚腈 二氧化鈦 納米雜化材料 薄膜 介電性能
中圖分類號：TQ 326.5 文獻標識碼：B 文章編號：1002-1396（2005）
高能量密度電容器要求介電材料不但具有較高的介電常數(shù)，還應具有一定的擊穿強度（EBD）。今年來，雜化材料研究為開發(fā)既具有高介電常數(shù)又具有優(yōu)良力學性能的材料提供了空間。
聚芳醚腈（PEN）具有優(yōu)良的耐熱和力學性能及化學穩(wěn)定性，應用于軍事和航空航天領(lǐng)域。相比其他特種工程塑料，PEN具有較好的加工性能，除熔融加工外，還可采用溶液加工，這為雜化材料的制備提供了可能性。溶膠–凝膠法廣泛應用于含納米TiO2雜化材料的制備。本工作利用PEN的優(yōu)良性能結(jié)合TiO2的高介電性，采用原位溶膠–凝膠法和流延成膜法制備PEN的TiO2雜化薄膜，并研究薄膜的力學和熱性能以及介電性能。
