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具有隔離結(jié)構(gòu)的RGO/UHMWPE電磁屏蔽材料
關(guān)鍵詞: 石墨烯 超高分子量聚乙烯 隔離結(jié)構(gòu) 電性能 電磁屏蔽性能
類 別: 塑料 >> 塑料加工
來 源: 第二屆高分子成型加工及其產(chǎn)業(yè)發(fā)展研討會(2015.5.16-18成都)
資料類型: jpg文件
資料大?。?/td> 415KB
簡 介:     石墨烯由于極大的比表面積、徑厚比和高電導(dǎo)率,廣泛用于導(dǎo)電高分子復(fù)合材料[1, 2]。本文通過溶液輔助分散法將氧化石墨烯(GO)包覆在超高分子量聚乙烯(UHMWPE)微粒表面,并通過水合肼還原、模壓成型制備了還原氧化石墨烯(RGO)/UHMWPE導(dǎo)電復(fù)合材料。光學(xué)顯微鏡形態(tài)結(jié)果表明RGO選擇性分布在UHMWPE微區(qū)界面處形成連續(xù)導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò),即在復(fù)合材料中形成隔離結(jié)構(gòu)[3, 4]。熱壓成型過程中,由于UHMWPE的高熔體粘度,RGO很難滲入到UHMWPE微區(qū)內(nèi)部,最終選擇性分布于微區(qū)界面。研究發(fā)現(xiàn),隔離結(jié)構(gòu)形成有利于提高RGO/UHMWPE復(fù)合材料的高電磁屏蔽性能。RGO含量僅為1.5 vol%時,復(fù)合材料平均磁屏蔽效能(EMI SE)可達(dá)26.7 dB,已滿足商業(yè)應(yīng)用基本水平(20 dB);RGO含量增加到6.4 vol%時,平均EMI SE可提高至47.3 dB。
上傳人: liuyh
上傳時間: 2015-06-26 15:11:21
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