廈門大學材料學院日前突破了具有光電特性的連續(xù)碳化硅(SiC)自由薄膜關鍵技術,制備出多種組分PCS先驅體,掌握了連續(xù)SiC自由薄膜不熔化交聯(lián)預處理與高溫裂解燒結的工藝。目前,該技術已申報6項國家發(fā)明專利,并形成了連續(xù)SiC自由薄膜材料小批量生產能力。
據(jù)介紹,該項目的主要創(chuàng)新點為:將熔融紡膜與先驅體轉化法相結合,制備出新型功能性連續(xù)SiC自由薄膜(厚度8~100微米、寬度20毫米、連續(xù)長度>100米);從原料的合成階段引入異質元素改性,制備出了耐超高溫、低電阻率及高頻發(fā)光特性的連續(xù)SiC(Al)自由薄膜,以及適合太陽能電池窗口材料的P型光伏薄膜。
新型連續(xù)SiC自由薄膜是理想的新型寬帶隙半導體材料,在微機電系統(tǒng)(MEMS)、光電集成器件、藍光發(fā)光器件、光伏器件、高溫紫外光敏器件及高溫壓力傳感器等高技術領域應用前景廣闊。