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近日，北京大學工學院席鵬特聘研究員課題組聯(lián)合香港大學的Wen-Di Li教授課題組、臺灣Huan-Cheng Chang課題組以及清華大學黃蕾博士，分別利用受激輻射光淬滅技術(shù)(STED)和結(jié)構(gòu)光照明超分辨技術(shù)(SIM)，實現(xiàn)了對NV center的超光學極限分辨率的顯微成像對比。

　　受激輻射光淬滅技術(shù)(STED)和結(jié)構(gòu)光照明超分辨技術(shù)(SIM)作為兩種超光學極限分辨顯微技術(shù)，已經(jīng)在生命科學領(lǐng)域得到廣泛應用。過去，兩種超分辨顯微技術(shù)的特性還沒有在同一樣品上進行過比較。利用NV center無光漂白的特性，作者對這兩種超分辨顯微技術(shù)的分辨率等參數(shù)進行了深入全面的對比研究。利用35nm的NV center納米鉆石顆粒和大塊鉆石上的NV center點陣實現(xiàn)了對這兩種方法對比成像。STED 具有更高的分辨率，然而SIM 具有更大的視場范圍。相關(guān)成果發(fā)表于皇家化學學會出版集團的期刊RSC Advances上。

　　席鵬課題組研究生楊旭三為本文第一作者，席鵬為本文通訊作者。席鵬課題組的研究領(lǐng)域包括超衍射極限分辨率顯微成像、激光共聚焦掃描顯微成像、多光子顯微成像和光學相干層析成像等。