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复合材料
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    中国U学家在《自?middot;U米技术》杂志上发表论文Uͼ他们在单晶石墨烯制备上取得了(jin)一突破。通过对化学气相沉U法QCVDQ的调整和改q,他们石墨烯薄膜生的速度提高?sh)?50倍。新研究为石墨烯的大规模应用奠定?jin)基?br />   矛_烯是q原子构成的只有一层原子厚度的二维晶体材料Q在c(din)光、机械强度上的优异特性,使其在电(sh)子学、太阌甉|、传感器{领域有着众多潜在应用。虽焉求巨大,但其制备速度~慢Q利用率一直徘徊在25%左右Q成为制U其q入实际应用的瓶颈之一。目前制备高质量矛_烯的Ҏ(gu)Q除胶带剥离法、碳化硅或金属表面外延生长法外,主要是化学气相沉U法。但通过CVD技术生产单晶石墨烯薄膜仍然需要耗费很长的时_(d)制备一块厘c方的单晶矛_烯薄膜至需要一天的旉Q十分缓慢?br />   在新的研I中Q中国北京大学和香港理工大学的研Ih员开发出一U新技术,能将q一q程从每U?.4微米加速到每秒60微米Q速度提升150倍。而其中的诀H,是在参与反应的铜箔(dng)上直接加入了(jin)许氧气?br />   研究人员表示Q氧化物基板?x)在化学气相沉积q程中高?00摄氏度的高温中释攑և氧气。氧气的q箋供应提高?sh)(jin)石墨烯的生镉K率。他们通过?sh)子能谱分析证实了(jin)这一点,但测量表明,氧气虽然被释放,然而总量很小。研Ih员解释说Q这可能与氧化物基板与铜之间非常狭的I间产生?jin)俘h应,从而提高(sh)(jin)氧气的利用效率有兟뀂在实验中,研究人员能在短短5U的旉内生产出0.3毫米的单晶石墨烯?br />   研究人员Uͼ对石墨烯产业而言Q该研究意义重大。通过该技术石墨烯的生产将能采用效率更高的卷对卷制E。而量的增加和成本的下降Q会(x)q一步扩大石墨烯的用范_(d)刺激光求量的增ѝ?br />
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