隨著科學(xué)技術(shù)地發(fā)展，電子元器件的散熱始終是一個(gè)艱難的挑戰(zhàn)，制備具有優(yōu)良綜合性能的高導(dǎo)熱聚合物絕緣材料正成為該領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)，受到越來越多國(guó)內(nèi)外研究同行的關(guān)注。
華僑大學(xué)陳國(guó)華教授團(tuán)隊(duì)利用石墨烯修飾的金剛石填充環(huán)氧樹脂制備導(dǎo)熱復(fù)合材料，不僅大幅度提高了環(huán)氧樹脂的導(dǎo)熱率，而且沒有犧牲其電絕緣性。
此方法制備的導(dǎo)熱復(fù)合材料制備過程簡(jiǎn)單而且利用金剛石的絕緣性質(zhì)阻止了石墨烯之間電子的傳遞。當(dāng)環(huán)氧樹脂中填充70 wt%此雜合填料時(shí)，復(fù)合材料的導(dǎo)熱率為2.85 W/mk，比純環(huán)氧樹脂提高了1,190%。
此研究在導(dǎo)熱絕緣領(lǐng)域具有較大的突破，在電子封裝等絕緣導(dǎo)熱領(lǐng)域具有重要的應(yīng)用價(jià)值。
從該模型圖可以清晰、直觀地看出石墨烯修飾金剛石的制備過程，以及填充于環(huán)氧樹脂基體中的分散狀態(tài)。石墨烯修飾的金剛石能被均勻分散，而且生長(zhǎng)在金剛石表面的石墨烯，既能大幅度提高復(fù)合材料的導(dǎo)熱率二不改變復(fù)合材料的電絕緣性質(zhì)。