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我組王菲同學N摻雜促進CdS納米催化劑體相載流子遷移增強模擬日光誘導產(chǎn)氫研究在ACB發(fā)表


第一作者及通訊作者:李偉陜西科技大學西安))

共同通訊作者:王傳義陜西科技大學西安))

通訊單位:陜西科技大學

論文DOI: 10.1016/j.apcatb.2022.121470

研究亮點:

1. 通過一步法將N雜原子引入到六方CdS NPs晶格中。

2. 雜原子-半導體協(xié)同作用促進CdS載流子遷移

3. 這種摻雜納米催化劑光電流密度明顯增加,其光激子利用顯著提高。

4. 能量勢壘的降低從熱力學上加速了氫氣的生成。

研究背景

為了緩解傳統(tǒng)化石能源面臨枯竭所產(chǎn)生壓力并促進綠色可持續(xù)發(fā)展,開發(fā)替代的環(huán)境友好型能源至關(guān)重要。太陽驅(qū)技術(shù)是實現(xiàn)太陽能轉(zhuǎn)化為化學能的一種非常有前景的方法,如生產(chǎn)CO、CH3OH、CH4C2H6、H2等。由于氫氣具有高附加值、綠色可持續(xù)性、低密度、易于存儲等優(yōu)點,是一種理想的綠色能源載體由于過渡金屬硫化物(TMSs)具有窄帶隙和寬頻光收集的固有優(yōu)勢,是一類性能優(yōu)良的產(chǎn)氫光催化材料其中硫化鎘(CdS)因其窄帶隙(~2.40 eV)合適的導帶位置而被廣泛應(yīng)用于可見光誘導產(chǎn)氫。然而,快速的載流子復(fù)合和嚴重的光腐蝕影響往往導致其光激子利用率低,使得光催化活性及穩(wěn)定性不理想。

擬解決的關(guān)鍵問題

由于CdS具有窄帶隙和適宜的導帶位置的特點,被廣泛應(yīng)用于制氫光催化材料的合成。然而,快速的載流子復(fù)合和嚴重的光腐蝕導致其光激子利用率低,使得光催化性能不佳耐久性差。因此,如何克服上述不足是本課題需要解決的關(guān)鍵科學問題。

成果簡介

針對CdS光催化劑載流子復(fù)合和光腐蝕影響導致其催化性能不理想的科學問題,陜西科技大學(西安)李偉副教授及王傳義教授等人將N雜原子引入六方CdS 納米顆粒的晶格中,制備了一種N摻雜CdS (N-CdS)納米催化材料。由于雜原子-半導體協(xié)同作用對CdS載流子遷移的協(xié)同促進作用,有效地抑制復(fù)合行為,使光電流密度明顯增加(~2)光激子利用率顯著提高。所以,優(yōu)化后的N0.2-CdS納米催化劑具有較高的表觀量子產(chǎn)率(AQY = 32.41%, λ = 500 nm)。在模擬光照射下,即使無助催化劑添加,其HER速率3983.4 μmol·h-1·g-1)可以達到純CdS NPs9倍。DFT計算表明,由于雜原子-半導體協(xié)同作用,Cd原子上的水分解能壘明顯降低,S原子H2生成反應(yīng)|ΔGH*|能壘明顯降低,從而在熱力學上加速了H2的生成。本研究獲得高穩(wěn)定性、高HER光活的CdS光催化劑提供了一種簡單、綠色的方法來。

要點1 催化劑的結(jié)構(gòu)、組成及形貌