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聚丙烯PP石墨納米復(fù)合材料的導(dǎo)電性能研究
來源:李侃社教授個人網(wǎng)站 發(fā)布日期:2010-09-21
作者:李侃社;王 琪
關(guān)鍵字:聚丙烯P石墨納米復(fù)合材料, 導(dǎo)電機理, 電導(dǎo)率
論文來源:期刊
具體來源:高分子學(xué)報,2005,(3):393-397
發(fā)表時間:2005年

 磨盤碾磨固相剪切復(fù)合技術(shù)(S3C) 是制備聚合物P石墨導(dǎo)電復(fù)合材料的有效途徑, 所得聚丙烯P膨脹石墨復(fù)合材料具有納米插層復(fù)合結(jié)構(gòu),石墨納米片層的相互搭接可形成導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò),具有納米間隙的石墨插層結(jié)構(gòu)可形成隧道電流,從而大幅度降低復(fù)合體系的導(dǎo)電逾滲閾值,在低填充量實現(xiàn)聚合物復(fù)合材料高電導(dǎo)性,與熔體共混相比,導(dǎo)電逾滲閾值由4.3 vol %降低到0.55 vol % ,在石墨含量為4.01 vol %時,電導(dǎo)率提高10 個數(shù)量級.

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