電沉積與微區(qū)衍射聯(lián)用技術(shù)對(duì)有害物質(zhì)檢測(cè)的應(yīng)用研究
項(xiàng)目類別：江蘇省高校自然科學(xué)重大項(xiàng)目
參與人員：徐斌，王赪胤，王小治，張明，菅盤(pán)銘，張婭，王志峰，周傳強(qiáng)
起止日期：2016.07-2019.08
項(xiàng)目提出一種新穎的基于電化學(xué)沉積技術(shù)與X射線衍射光譜分析聯(lián)用分析測(cè)試表征手段。將被檢測(cè)物質(zhì)作為添加劑并在其輔助下，采用電化學(xué)沉積技術(shù)來(lái)制備納米金屬粒子和金屬氧化物，通過(guò)微區(qū)衍射技術(shù)對(duì)所沉積得到的納米金屬粒子和金屬氧化物進(jìn)行測(cè)試，并配合晶體無(wú)標(biāo)樣結(jié)構(gòu)分析方法，分析晶體結(jié)構(gòu)，晶胞參數(shù)以及結(jié)晶物質(zhì)的分布等情況等，達(dá)到環(huán)境中有害物質(zhì)的快速檢測(cè)目的。解決常規(guī)衍射分析方法不適用于低含量，弱衍射能力以及粒度尺寸過(guò)小的檢測(cè)瓶頸問(wèn)題。