随着手持式装|以?qing)可I戴式电(sh)子品与IoT的迅速发展，数百亿个低功耗室内应用的?sh)子讑֤需要大量的ȝ甉|。太阌甉|如已l证明可有效室内环境中低强度光能{换成微瓦到兆瓦等U的装置Q被公认是驱动低功耗电(sh)子设备的理想选择。钙钛矿太阳能电(sh)池具有带隙可调、吸收系数高{优点，受到?jin)广泛关注。在钙钛矿薄膜Ş成过E中Q不可避免的?x)Ş成大量的~陷Q造成严重的非辐射复合损失Q从而得器件的性能大大降低。因此，降低非辐复合损失是钙钛矿太阌甉|在弱光环境应用中的重大挑(xi)战?/span>
q日Q陕西师范大学材料学院刘生忠教授团队?strong>Advanced Materials上发表了(jin)题(sh)ؓ(f)?/span>40.1% Record Low-Light Solar-Cell Efficiency by Holistic Trap-Passivation using Micrometer-Thick Perovskite Film”的论文。本论文通过两步法制备了(jin)微米厚的钙钛矿薄膜。利用体相掺杂和表面钝化两种Ҏ(gu)Q体相~陷和表面缺陷大q降低，使得钙钛矿薄膜的q_载流子寿命从1.41 μs提高?.72 μsQ最l得器件的Voc和PCE都得到大q的提升。该研究得到?jin)国家自然科学基金委、国安点研发计划等目的支持?/span>
? (a)钙钛矿薄膜的制备q程Q?b)q面钙钛矿电(sh)池器件结构图Q?c)对照和目标器件的J-V曲线?d)PCE分布图?/span>
? (a)沉积在玻璃基板上的钙钛矿薄膜的稳态光致发光光谱图Q?b)旉分L光致发光衰减曲线Q?c)C-V曲线?d)基础和优化器件的L图?/span>
? (a)h不同GA摩尔比的(FAPbI3)0.92(MAPbBr3)0.08膜的XRD图谱Q?b) (FAPbI3)0.92(MAPbBr3)0.08钙钛矿薄膜和(c)含有8Qmol GA 薄膜的SEM囑փQ所有照片的比例均? μmQ?d)含有不同度GA?FAPbI3)0.92(MAPbBr3)0.08薄膜的UV-Vis吸收光谱Q?e)不含GA和含?Qmol GA薄膜的稳态光致发光光谱和(f)旉分L光致发光衰减光谱?/span>
? 掺有GA的钙钛矿薄膜的SEM囑փ(a)是未lCH3O-PEABr处理Q?b)l过CH3O-PEABr处理。GA掺入钙钛矿的AFM囑փ(c)不带?d)带有CH3O-PEABr涂层?e)?f)分别是不处理和经qCH3O-PEABr处理的含有GA的钙钛矿薄膜的PL和TRPL?/span>
论文W一作者：(x)何希来（陕西师范大学Q、陈江照Q重?jin)大学?j)
论文通讯作者：(x)d东、n奎、刘生忠
原文链接
https://onlinelibrary.wiley.com/doi/epdf/10.1002/adma.202100770
