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高介電HfO2薄膜的制備及其結(jié)構(gòu)和界面特性研究  
高介電HfO2薄膜的制備及其結(jié)構(gòu)和界面特性研究
資料類型： PDF文件
關(guān)鍵詞： 等離子體氧化  氧化鉿  高介電薄膜  制備  界面  
資料大?。?/td> 109K
所屬學(xué)科： 結(jié)構(gòu)表征
來源： 來源網(wǎng)絡(luò)
簡(jiǎn)介：
報(bào)道了用低溫等離子體直接氧化濺射金屬鉿膜的方法制備高介電HfO2薄膜。研究了退火溫度及氣氛對(duì)薄膜的結(jié)構(gòu)和界面特性的影響。傅立葉變化紅外測(cè)試結(jié)果表明：界面的主要成分為SiO2，氧氣氣氛下的高溫退火將導(dǎo)致界面SiO2的不可控制的生長(zhǎng)。高純的N2退火導(dǎo)致了界面層的分解，引起Si-O鍵的振動(dòng)峰位的輕微移動(dòng)。
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上傳時(shí)間： 2007-07-12 15:44:43
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gutian    2010-03-03 15:53:04
試了幾次才下來，文章還是不錯(cuò)的
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