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ZnO∶Ga透明導電膜的低溫制備及特性研究 |
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| 資料類型： |
PDF文件
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| 關(guān)鍵詞： |
磁控濺射 ZnO:Ga 光電特性 |
| 資料大?。?/td>
| 104K |
| 所屬學科： |
性能表征 |
| 來源： |
來源網(wǎng)絡 |
| 簡介： |
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采用射頻磁控濺射法在玻璃襯底上低溫制備出高質(zhì)量的鎵摻雜氧化鋅（ZnO:Ga）透明導電膜，對薄膜的結(jié)構(gòu)和光電特性以及制備參數(shù)對薄膜性能的影響進行了研究。制備的ZnO:Ga是具有六角纖鋅礦結(jié)構(gòu)的多晶薄膜，最佳擇優(yōu)取向為(002)方向。薄膜的最低電阻率達到了3.910-4Ωcm，方塊電阻～4.6Ω/□，薄膜具有良好的附著性，在可見光區(qū)的平均透過率達到90%以上。 |
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| 上傳人： |
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| 上傳時間： |
2007-07-13 14:43:06 |
| 下載次數(shù)： |
579 |
| 消耗積分： |
2
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