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微米級硫化物半導(dǎo)體的紅外發(fā)射率研究  
微米級硫化物半導(dǎo)體的紅外發(fā)射率研究
資料類型： PDF文件
關(guān)鍵詞： 硫化物半導(dǎo)體  紅外發(fā)射率  晶格畸變  晶格振動  
資料大小： 327K
所屬學(xué)科： 通用高分子材料
來源： 來源網(wǎng)絡(luò)
簡介：
為了制備出在8～14&micro；m紅外波段具有較低紅外發(fā)射率的粉體，以硫化鎘（CdS）、硫化鋅（ZnS）為原料，采用了氣氛固相燒結(jié)法制備了微米級的CdZnS固溶體粉體。采用XRD、BET（ASAT2010）比表面儀表征，研究了粉體的結(jié)構(gòu)、粒度等特征。通過IR-1紅外發(fā)射率測量儀器測試了粉體在8～14&micro；m波段的紅外發(fā)射率。著重討論了粉體的晶格畸變和8～14&micro；m波段紅外發(fā)射率之間的關(guān)系，并對此給出了一定的解釋。
上傳人：
上傳時間： 2007-07-17 16:47:45
下載次數(shù)： 6985
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相關(guān)評論 共有3人發(fā)表評論 更多評論
zszhong    2009-07-13 16:26:15
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zszhong    2009-07-13 16:26:08
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zszhong    2009-07-13 16:25:58
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