中科院合肥研究院在柔性超級(jí)電容器研究中取得進(jìn)展
2016-06-27 來源:中國(guó)聚合物網(wǎng)
近期,中國(guó)科學(xué)院合肥物質(zhì)科學(xué)研究院固體物理研究所微納技術(shù)與器件研究室研究員葉長(zhǎng)輝課題組,在柔性超級(jí)電容器研究方面取得新進(jìn)展,相關(guān)結(jié)果發(fā)表在Small 雜志上(Small, 2016, 12, 3059–3069)。
柔性可穿戴式及便攜式電子器件,要求驅(qū)動(dòng)其工作的供能器件不僅能提供足夠的功率密度及能量密度,還需具有良好的柔韌性。超級(jí)電容器具有較高的功率密度、循環(huán)穩(wěn)定性以及快速充放電的特性,是一種非常有應(yīng)用潛力的供能器件,然而較低的能量密度一直限制著其實(shí)際應(yīng)用。因此,如何進(jìn)一步提高超級(jí)電容器的能量密度并使其柔性化是目前超級(jí)電容器研究領(lǐng)域的熱點(diǎn)。
二氧化錳是一種具有高理論比容量的(1370 F g-1)的贗電容材料,非常有希望應(yīng)用于高能量密度超級(jí)電容器的制備。然而其較差的固有電導(dǎo)率(10-5-10-6 S cm-1),使得單純通過增加活性材料厚度無法提高其儲(chǔ)電能力,嚴(yán)重阻礙了其在高能量密度超級(jí)電容器中的應(yīng)用。該課題組研究人員基于前期發(fā)展的插指電極激光印刷技術(shù)(J. Mater. Chem. A, 2014, 2, 20916-20922),并結(jié)合電沉積技術(shù),在柔性PET基底上制備了一種二氧化錳基三維疊層插指電極,并以此電極進(jìn)一步制備了柔性超級(jí)電容器。這種三維疊層插指電極構(gòu)型,可以有效地增加二氧化錳與金電極的接觸面積,克服二氧化錳電導(dǎo)率較差的瓶頸問題,通過Z軸方向的疊加,在不增加電極面積的條件下,有效地增加電極活性材料的總體厚度,增大了器件的面電容密度。通過這種電極結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),獲得的柔性超級(jí)電容器可以達(dá)到11.9 mF cm-2 的最大面電容密度,并且理論上可以通過進(jìn)一步的電極疊加,獲得更高的面電容密度。
此外,研究小組還受邀撰寫了關(guān)于微型超級(jí)電容器的綜述文章(Energy Storage Materials,2015,1,82–102)。
上述研究工作得到了國(guó)家自然科學(xué)基金和中科院國(guó)際團(tuán)隊(duì)項(xiàng)目的資助。
柔性可穿戴式及便攜式電子器件,要求驅(qū)動(dòng)其工作的供能器件不僅能提供足夠的功率密度及能量密度,還需具有良好的柔韌性。超級(jí)電容器具有較高的功率密度、循環(huán)穩(wěn)定性以及快速充放電的特性,是一種非常有應(yīng)用潛力的供能器件,然而較低的能量密度一直限制著其實(shí)際應(yīng)用。因此,如何進(jìn)一步提高超級(jí)電容器的能量密度并使其柔性化是目前超級(jí)電容器研究領(lǐng)域的熱點(diǎn)。
二氧化錳是一種具有高理論比容量的(1370 F g-1)的贗電容材料,非常有希望應(yīng)用于高能量密度超級(jí)電容器的制備。然而其較差的固有電導(dǎo)率(10-5-10-6 S cm-1),使得單純通過增加活性材料厚度無法提高其儲(chǔ)電能力,嚴(yán)重阻礙了其在高能量密度超級(jí)電容器中的應(yīng)用。該課題組研究人員基于前期發(fā)展的插指電極激光印刷技術(shù)(J. Mater. Chem. A, 2014, 2, 20916-20922),并結(jié)合電沉積技術(shù),在柔性PET基底上制備了一種二氧化錳基三維疊層插指電極,并以此電極進(jìn)一步制備了柔性超級(jí)電容器。這種三維疊層插指電極構(gòu)型,可以有效地增加二氧化錳與金電極的接觸面積,克服二氧化錳電導(dǎo)率較差的瓶頸問題,通過Z軸方向的疊加,在不增加電極面積的條件下,有效地增加電極活性材料的總體厚度,增大了器件的面電容密度。通過這種電極結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),獲得的柔性超級(jí)電容器可以達(dá)到11.9 mF cm-2 的最大面電容密度,并且理論上可以通過進(jìn)一步的電極疊加,獲得更高的面電容密度。
此外,研究小組還受邀撰寫了關(guān)于微型超級(jí)電容器的綜述文章(Energy Storage Materials,2015,1,82–102)。
上述研究工作得到了國(guó)家自然科學(xué)基金和中科院國(guó)際團(tuán)隊(duì)項(xiàng)目的資助。

圖:(a) 制備工藝流程圖;(b) 三維疊層插指電極側(cè)切面掃描電鏡圖;(c)不同層數(shù)三維疊層插指電極在不同面電流密度下的面電容密度圖;(d)器件在90°彎曲角度下的循環(huán)伏安曲線圖(內(nèi)插圖為器件在90°彎曲角下的光學(xué)照片)。
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