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科學家在二維聚合物晶體管的平面處理方面取得新進展
2016-08-12  來源:材料牛
關(guān)鍵詞:表面處理 二維晶體管


圖2 傳統(tǒng)聚合物晶體管和二維聚合物晶體管比較總覽

  有機場效應(yīng)晶體管(OFETs)是如今不斷發(fā)展起來的低成本、環(huán)境友好型柔性電子設(shè)備的中心元件。新興發(fā)展起來的施主-受體(D-A)共聚物被證實在OFET的制備上有著潛在的應(yīng)用前景,因其可溶液加工、具靈活的柔韌性及高雙極性性能。而將平面處理過程引入OFETs也有很多益處,不必擔憂會與基底接觸,通過多種技術(shù)可制備高質(zhì)量、大面積、超薄的有機半導體(OSC)薄膜。另外,可自行校準的柵極及S/D電極可消除電極間重疊從而誘導寄生電容來減緩運行速度。

  東國大學的Yong Xu(通訊作者)和Yong-Young Noh(通訊作者)及華東師范大學的李文武(通訊作者)帶領(lǐng)的研究團隊設(shè)計了經(jīng)平面處理后的二維聚合物晶體管,晶體管內(nèi)有效電荷的釋放及分裂單極電荷的傳輸均在聚合物薄膜表面進行,表現(xiàn)出前所未有的理想設(shè)備特點。這種技術(shù)帶來了針對于制備限制問題的絕佳解決方法,以及共軛聚合物晶體管在實際應(yīng)用中性能上的改進。

  文獻鏈接:Planar-Processed Polymer Transistors(Adv. Mater.,2016,DOI:10.1002/adma.201601589)


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(責任編輯:xu)
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