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中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)、安徽銅峰電子研究團(tuán)隊(duì) Adv. Mater.:γ輻照顯著提升聚合物薄膜的介電儲(chǔ)能特性
2024-02-23  來(lái)源:高分子科技


  聚合物薄膜電容器在新能源汽車逆變器、電網(wǎng)調(diào)頻、光伏/風(fēng)力發(fā)電機(jī)并網(wǎng)、先進(jìn)電子設(shè)備等方面獲得了廣泛的應(yīng)用。其中,雙向拉伸聚丙烯 (BOPP)電介質(zhì)薄膜,由于具有高充放電效率和成熟的制造技術(shù),成為最先進(jìn)的用于商用聚合物薄膜電容器的電介質(zhì)材料,占據(jù)了~50%的聚合物電容器市場(chǎng)份額。然而,由于電容能量密度低,BOPP電容器通常占據(jù)器件體積和重量的30%以上,而且由于僅能承受較低的工作溫度<105℃,很多場(chǎng)景下(以新能源混合動(dòng)力汽車為例,其薄膜電容器的工作環(huán)境溫度可達(dá)125-150℃)需要額外布置冷卻系統(tǒng),不可避免地限制了現(xiàn)代電子電氣系統(tǒng)的小型化發(fā)展。


  最近,中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)與安徽銅峰電子公司研究團(tuán)隊(duì)發(fā)展了利用γ輻照優(yōu)化不同聚合物電介質(zhì)材料介電常數(shù)、擊穿強(qiáng)度、工作溫度的策略。利用高能、強(qiáng)穿透性的γ射線輻照對(duì)BOPP分子鏈結(jié)構(gòu)進(jìn)行修飾,引入強(qiáng)極性的羥基和羰基基團(tuán),不僅提高了介電常數(shù),更為重要的是引入了深陷阱能級(jí),可降低高場(chǎng)、高溫下漏電流和電-熱擊穿概率。另外,γ輻照還能引入交聯(lián)結(jié)構(gòu),從而提高楊氏模量,降低電-機(jī)械擊穿的概率。因此,該方案提高BOPP的擊穿強(qiáng)度40%968 MV/m,擊穿強(qiáng)度下的儲(chǔ)能密度達(dá)到10.4 J/cm3,比原始BOPP提高了108%,且儲(chǔ)能效率高達(dá)97.3%,優(yōu)于目前的商用聚合物電容膜、已報(bào)道的全有機(jī)聚合物和PP基復(fù)合材料。而且600 MV/m高電場(chǎng)條件下經(jīng)歷20000次循環(huán)充放電測(cè)試,儲(chǔ)能密度依然穩(wěn)定維持在4.06 J/cm3,效率為98%特別是,γ輻照還優(yōu)化了BOPP的工作溫度。125℃下,γ輻照的BOPP在擊穿場(chǎng)強(qiáng)770 MV/m條件下的儲(chǔ)能密度達(dá)到5.88 J/cm3,效率為90%,儲(chǔ)能密度相對(duì)于原始BOPP提高了97% (2.98 J/cm3,對(duì)應(yīng)的擊穿場(chǎng)強(qiáng)為576 MV/m,效率76%)擊穿強(qiáng)度、工作溫度的優(yōu)化也有利于提升聚合物電容器耐受紋波電壓和電流的能力,利于其安全使用。


  通過(guò)電導(dǎo)、熱激勵(lì)去極化電流等實(shí)驗(yàn)測(cè)試結(jié)合密度泛函理論分析,發(fā)現(xiàn)介電常數(shù)、擊穿場(chǎng)強(qiáng)、工作溫度等儲(chǔ)能性能的優(yōu)化γ輻照聚合物后薄膜內(nèi)部極性基團(tuán)的形成有關(guān),極性羰基引入了深能級(jí)陷阱從而有效地抑制了高電場(chǎng)、高溫下的電荷傳輸。進(jìn)一步地,在環(huán)烯烴共聚物 (COC) 中驗(yàn)證了γ射線輻照策略的可推廣性結(jié)果表明,即使在150℃高溫下,γ輻照的COC能量密度也顯著提高到4.0 J/cm3,且效率大于90%。這項(xiàng)工作為發(fā)優(yōu)異介電儲(chǔ)能性能的聚合物電介質(zhì)提供了一種簡(jiǎn)單而普遍適用的策略。 


1. 結(jié)構(gòu)、介電和擊穿特性。a) 原始和γ射線輻照BOPP薄膜的X射線衍射圖譜,b) 衰減全反射傅立葉變換紅外光譜,c) 室溫下介電常數(shù)和損耗因子的頻譜,d) 1 kHz下介電常數(shù)和損耗因子的溫度依賴關(guān)系,e) 擊穿場(chǎng)強(qiáng)的韋伯分布。f) 不同γ射線輻照劑量下BOPP薄膜的擊穿場(chǎng)強(qiáng)和韋伯模量分布圖。 


2. 介電儲(chǔ)能性能。a) 原始和γ射線輻照BOPP薄膜的電位移與電場(chǎng)的關(guān)系曲線,b) 不同電場(chǎng)下的放電能量密度,c) 不同電場(chǎng)下的儲(chǔ)能效率。d) 不同γ射線輻照劑量下的放電能量密度。e) 850 MV/m電場(chǎng)下γ-150 kGy BOPP薄膜充放電循環(huán)測(cè)試。f) 850 MV/m下測(cè)試不同循環(huán)次數(shù)γ-150 kGy BOPP薄膜的電位移與電場(chǎng)的關(guān)系曲線。 


3. 循環(huán)穩(wěn)定性和不同材料性能比較。a) 600 MV/mγ-150kGy BOPP薄膜的充放電循環(huán)測(cè)試。b) 在儲(chǔ)能效率大于95% 的條件下,本工作與商用聚合物電容膜、已報(bào)道的全有機(jī)聚合物以及PP基復(fù)合物的最大放電能量密度的比較 


4. 驗(yàn)證深陷阱能級(jí)的實(shí)驗(yàn)結(jié)果。a) 原始和γ射線輻照BOPP薄膜在不同電場(chǎng)下的漏電流密度,b) 不同γ射線輻照劑量下的跳躍距離。c) 原始BOPPγ-150 kGy BOPP薄膜的熱激勵(lì)去極化電流曲線。 


5. 深能級(jí)陷阱的理論分析。a, b) 原始PP和含羰基PP分子鏈的靜電勢(shì)分布。c) 原始PP和含羰基PP的態(tài)密度。d) 原始PP和含羰基PP的能級(jí)結(jié)構(gòu)。 


6. γ射線輻照COC電介質(zhì)的儲(chǔ)能性能。a) 室溫下介電常數(shù)和損耗因子的頻譜。b) 150℃下?lián)舸﹫?chǎng)強(qiáng)的韋伯分布。c) 原始COCγ-150kGy COC薄膜150℃下的放電能量密度和儲(chǔ)能效率。d) 原始COC和含羰基COC的能級(jí)結(jié)構(gòu)。


  相關(guān)成果以 γ-Ray Irradiation Significantly Enhances Capacitive Energy Storage Performance of Polymer Dielectric Films為題在線發(fā)表在《先進(jìn)材料》(Adv. Mater.)。該項(xiàng)研究得到了國(guó)家自然科學(xué)基金、科技部國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃的資助。


  論文信息:

  第一作者:王藝偉

  通訊作者:李曉光;殷月偉;沈勝春

  通訊單位:中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)

  合作單位:安徽銅峰電子股份有限公司

  文章鏈接:https://onlinelibrary.wiley.com/doi/full/10.1002/adma.202308597

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