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華科大朱明強(qiáng)教授、湖北九峰山實(shí)驗(yàn)室柳俊教授/向詩力博士團(tuán)隊(duì) ACS APM:再度發(fā)力光刻膠領(lǐng)域
2024-04-01  來源:高分子科技
關(guān)鍵詞:光降解型 聚氨酯 光刻膠

  光刻膠作為半導(dǎo)體制造的關(guān)鍵材料,生產(chǎn)工藝復(fù)雜,品種多,規(guī)格多。目前常用的正性光刻膠中,主要包括酚醛樹脂-重氮萘醌化學(xué)放大膠、分子玻璃膠和光降解聚合物等,正被用于g線、i線、KrFArFEUV光刻制造。而用于上述中高端光刻膠系列合成的重要原材料幾乎全依賴進(jìn)口。需注意的是,酚醛樹脂-重氮萘醌體系光刻膠的合成復(fù)雜成本相對(duì)較高,其光化學(xué)反應(yīng)往往伴隨著氣體的產(chǎn)生,這些氣體可能會(huì)污染光刻機(jī)鏡頭光降解型光刻膠體系可避免上述問題,但早期開發(fā)的少數(shù)光降解型光刻膠光敏性差,嚴(yán)重影響了半導(dǎo)體制造的時(shí)間效率和分辨率。而基于分子開關(guān)的光降解型光刻膠,其不同于脫保護(hù)反應(yīng)的光響應(yīng)機(jī)制,為高分辨光刻膠材料的制備開辟了一種新思路。


  近日,華中科技大學(xué)武漢光電國家研究中心朱明強(qiáng)教授團(tuán)隊(duì),聯(lián)合湖北九峰山實(shí)驗(yàn)室,以高光敏性的六芳基聯(lián)咪唑分子開關(guān)和自由基淬滅劑:叔丁基對(duì)苯二酚(TBHQ)構(gòu)光降解型聚氨酯正性光刻膠光照下,HABI單元解離生成室溫下無法獨(dú)立穩(wěn)定存在的三苯基咪唑自由基后,自由基的可逆復(fù)合過程被TBHQ強(qiáng)行中斷,高分子聚合物因此解聚形成可溶解于顯影劑的低聚物1。有趣的是,對(duì)HABI分子開關(guān)母體進(jìn)行修飾改性,其響應(yīng)波長(zhǎng)可調(diào),即是說由該分子開關(guān)合成的材料理論上可適應(yīng)深紫外任何波段的曝光。另外,該體系光刻膠所需重要單體均由該團(tuán)隊(duì)自主研發(fā)! 



1. 基于HABI分子開關(guān)的光降解型光刻膠體系用于光刻制造的示意圖。


  早期,該團(tuán)隊(duì)將HABI分子開關(guān)整合到聚合物中,制備出了一系列具有光控形變功能的智能聚合物彈性體和水凝膠材料(Chemistry of Materials201931, 5081Nano Energy202185, 105965),并率先提出“光塑性”的基本概念,為材料的非侵入式遠(yuǎn)程加工控制以及常溫加工制造開辟了一條新的途徑。而在該工作中,通過聚合物網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)的精巧設(shè)計(jì),并改變HABITBHQ兩者的配比,得到了具有不同臨界曝光劑量(E0)的系列光刻膠,其在對(duì)應(yīng)E0下進(jìn)行光刻,圖形的線邊緣粗糙度(LER)差異較大(2)。鑒于該材料體系完全不同于化學(xué)放大膠,soft-bake時(shí)不存在不受控的光酸擴(kuò)散,基于分子開關(guān)單分子響應(yīng)的機(jī)制有望在LER要求極苛刻的先進(jìn)光刻制造中展現(xiàn)出廣泛的應(yīng)用前景。

 

2. 不同光刻膠體系中TBHQ/HABI的配比從1.5變化到3.5時(shí),通過光學(xué)顯微鏡和SEM表征圖形LER的變化。


  以上相關(guān)成果發(fā)表在ACS Applied Polymer MaterialsPhotodegradable Polyurethane Resist with High Photosensitivity Based on Hexaarylbiimidazole Molecule Photoswitch。項(xiàng)目由國家自然科學(xué)基金、973計(jì)劃與湖北省自然科學(xué)基金共同資助,論文第一作者為湖北九峰山實(shí)驗(yàn)室向詩力博士華中科技大學(xué)光電國家研究中心碩士駱鵬飛,通訊作者為華中科技大學(xué)光電國家研究中心朱明強(qiáng)教授,湖北九峰山實(shí)驗(yàn)室柳俊教授向詩力博士。


  原文鏈接:https://doi.org/10.1021/acsapm.3c02610


通訊作者簡(jiǎn)介


向詩力博士,2021年畢業(yè)于華中科技大學(xué)武漢光電國家實(shí)驗(yàn)室,獲理學(xué)博士學(xué)位。在Nano energy、Chemical Engineering Journal、Chem. Mater.與ACS APM等國際頂刊上發(fā)表多篇論文,受邀為American Journal of Chemical Engineering期刊編委。曾獲“3551光谷優(yōu)秀青年人才”稱號(hào)。2022年加入湖北九峰山實(shí)驗(yàn)室,目前主要負(fù)責(zé)RF器件、MEMS器件與半導(dǎo)體光刻制造的前端研發(fā)。



柳俊教授,2014年畢業(yè)于香港城市大學(xué),獲理學(xué)博士學(xué)位。曾先后獲湖北省“百人計(jì)劃”,“3551光谷”,深圳市“海外高層人才孔雀計(jì)劃”,深圳市龍崗區(qū) “龍崗區(qū)高層次人才” 等人才稱號(hào)。于2021年加入湖北九峰山實(shí)驗(yàn)室,任工藝中心主管。在Nanomaterials、ACS APM、Appl. Phys. Lett.和Solid-State Electronics等國際頂刊上發(fā)表多篇論文。目前主要負(fù)責(zé)化合物半導(dǎo)體的制造、加工和表征。



朱明強(qiáng)教授,2001年畢業(yè)于北京大學(xué),獲理學(xué)博士學(xué)位。現(xiàn)任職華中科技大學(xué)武漢光電國家研究中心教授。在JACS、Nano energy、Nat. Commun.與Adv. Mater.等國際頂刊上發(fā)表了100多篇論文,獲2017年北京市自然科學(xué)二等獎(jiǎng)和2023年湖北省自然科學(xué)二等獎(jiǎng),于2018年入選英國皇家化學(xué)學(xué)會(huì)會(huì)士。目前的研究重點(diǎn)集中于光刻制造、有機(jī)納米光電子學(xué)和超分辨率成像。

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