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研究集體所在單位：

 

中國科學院物理研究所

 

研究集體主要科技貢獻：該研究集體通過計算、理論、實驗的緊密結(jié)合，在拓撲絕緣體的研究方面取得了一系列重大突破與創(chuàng)新：（1）發(fā)現(xiàn)了Bi2Te3、Bi2Se3系列拓撲絕緣體材料，使廣泛的實驗研究成為可能，這也是目前國際公認的標準拓撲絕緣體材料；（2）突破單晶制備的難題，在國際上率先制備出了原子級平整的Bi2Se3、Bi2Te3單晶絕緣薄膜；（3）實驗驗證了拓撲絕緣體所特有的拓撲物性；（4）發(fā)現(xiàn)了拓撲絕緣體Bi2Te3在壓力下的超導態(tài)；（5）提出了磁性拓撲絕緣體中的量子化反常霍爾效應、具有電荷共軛—時間反演不變性的拓撲絕緣體等新概念。

 

研究集體突出貢獻者及主要科技貢獻：

 

方　忠　中國科學院物理研究所

 

主要科技貢獻：領(lǐng)導并組織實施了主要研究工作。預言了Bi2Se3、Bi2Te3系列拓撲絕緣體材料，提出了磁性拓撲絕緣體中的量子化反�；魻栃�。

 

戴　希　中國科學院物理研究所

 

主要科技貢獻：作為主要成員參與了主要的研究工作。預言了Bi2Se3、Bi2Te3系列拓撲絕緣體材料，提出了磁性拓撲絕緣體中的量子化反�；魻栃�。

 

吳克輝　中國科學院物理研究所

 

主要科技貢獻：通過MBE制備出了高質(zhì)量的Bi2Se3、Bi2Te3單晶薄膜。

 

研究集體主要完成者及工作單位：

 

馬旭村　中科院物理研究所

 

何　珂 　中科院物理研究所

 

李永慶 　中科院物理研究所

 

呂　力 　中科院物理研究所

 

靳常青　中科院物理研究所

 

孫力玲　中科院物理研究所

 

孫慶豐　中科院物理研究所

 

謝心澄　中科院物理研究所

 

姚裕貴　中科院物理研究所

 

張海軍　斯坦福大學