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PVD法制備多晶碘化汞膜的光電特性研究 |
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| 資料類型： |
PDF文件
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| 關(guān)鍵詞： |
多晶 碘化汞 物理氣相沉積 探測器 |
| 資料大?。?/td>
| 389K |
| 所屬學科： |
性能表征 |
| 來源： |
來源網(wǎng)絡 |
| 簡介： |
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用熱壁物理氣相沉積法（Hot－WallPVD）制備出晶體質(zhì)量較好的多晶HgI2膜，研究了生長參數(shù)對沉積膜質(zhì)量的影響，對多晶HgI2膜用金相顯微鏡、XRD、紅外光譜進行了表征觀察及對用多晶HgI2膜制備的探測器采用了暗電流測試；結(jié)果表明PVD法制備的多晶HgI2膜純度高，結(jié)構(gòu)完整性好，均勻性好，并且其相應器件有低的暗電流（電場0.2V/μm時，為25pA/mm2）。 |
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| 上傳人： |
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| 上傳時間： |
2007-07-17 15:20:49 |
| 下載次數(shù)： |
574 |
| 消耗積分： |
2
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