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Ag(TCNQ)納米線的制備和場發(fā)射性能研究
Ag(TCNQ)納米線的制備和場發(fā)射性能研究
資料類型:
PDF文件
關(guān)鍵詞:
氣-液-固反應(yīng)
Ag(TCNQ)納米線
場發(fā)射
資料大?。?/td>
145K
所屬學(xué)科:
性能表征
來源:
來源網(wǎng)絡(luò)
簡介:
采用氣-液-固反應(yīng)方法在硅片上制備了取向金屬有機(jī)配合物Ag(TCNQ)納米線。樣品的XRD特征峰與Ag(TCNQ)相對應(yīng);SEM形貌顯示納米線幾乎垂直基片生長,直徑在50~300nm,長度在2~50µm。初步對其場發(fā)射性能進(jìn)行了研究,所得Ag(TCNQ)納米線的最低場發(fā)射開啟電壓約為1.5Vµm-1,最大發(fā)射電流密度約為0.03mAcm-2,此時(shí)對應(yīng)的電場約為2.5Vµm-1。由測量所得I-V曲線得到的Fowler-Nordheim(F-N)曲線近似為一條直線,說明樣品具有場發(fā)射性能。重復(fù)實(shí)驗(yàn)表明,Ag(TCNQ)納米線的場發(fā)射具有一定的穩(wěn)定性。結(jié)合納米線制備工藝,初步分析了場發(fā)射性能的影響因素。
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2007-07-09 16:19:24
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