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電化學(xué)原子層外延沉積碲化鉍納米薄膜研究  
電化學(xué)原子層外延沉積碲化鉍納米薄膜研究
資料類型： PDF文件
關(guān)鍵詞： ECALE  欠電位沉積  熱電材料  Bi2Te3納米薄膜  
資料大?。?/td> 83K
所屬學(xué)科： 高分子化學(xué)
來源： 來源網(wǎng)絡(luò)
簡(jiǎn)介：
本文首次研究了電化學(xué)原子層外延（ECALE）法室溫沉積碲化鉍納米薄膜的過程。ECALE是原子層外延的電化學(xué)模擬。它通過欠電位技術(shù)實(shí)現(xiàn)電化學(xué)沉積過程中的原子級(jí)的精確控制，每次只沉積一個(gè)原子層厚度，通過沉積循環(huán)的控制可以實(shí)現(xiàn)對(duì)沉積薄膜材料種類和厚度的控制。采用三電極和循環(huán)伏安法，分別研究確定了Pt電極上欠電位沉積金屬Bi薄膜、Te在Pt電極上欠電位沉積條件以及Bi在Te表面和Te在Bi表面的交替沉積行為及其沉積參數(shù)，通過不同電位交替沉積得到Bi2Te3納米薄膜。對(duì)薄膜的氧化剝落及其電量分析結(jié)果進(jìn)一步證明了該薄膜的沉積過程是一種二維層狀生長(zhǎng)過程。
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上傳時(shí)間： 2007-07-13 12:01:25
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相關(guān)評(píng)論 共有1人發(fā)表評(píng)論 更多評(píng)論
yashuang163    2009-03-10 20:05:53
真是不錯(cuò)啊，希望大家也能給出意見。
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