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CdZnTe晶體歐姆接觸電極的制備工藝研究 |
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| 資料類型： |
PDF文件
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| 關(guān)鍵詞： |
碲鋅鎘 歐姆接觸 薄膜 磁控濺射 |
| 資料大小： |
163K |
| 所屬學(xué)科： |
高分子化學(xué) |
| 來源： |
來源網(wǎng)絡(luò) |
| 簡介： |
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高阻CdZnTe晶體是X射線及γ射線探測最優(yōu)秀的材料。制備CdZnTe探測器最關(guān)鍵的技術(shù)之一就是在CdZnTe表面制備出歐姆接觸薄膜電極。關(guān)于在CdZnTe晶體表面制備接觸電極用導(dǎo)電薄膜，大都是采用蒸發(fā)鍍膜技術(shù)，膜層與CdZnTe晶體結(jié)合不很牢固。本論文主要開展了在CdZnTe晶體上歐姆接觸電極的選材和制備工藝的研究。理論分析了金屬與CdZnTe半導(dǎo)體的接觸關(guān)系，根據(jù)影響因素選擇Cu/Ag合金作為電極薄膜材料。利用射頻磁控濺射法成功地在CdZnTe晶體上制備出Cu/Ag膜。研究發(fā)現(xiàn)Cu/Ag合金膜的電阻率隨濺射功率的增大而增大、襯底溫度的升高而降低。從理論上對這一規(guī)律進(jìn)行了解釋。 |
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| 上傳人： |
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| 上傳時間： |
2007-07-13 13:52:53 |
| 下載次數(shù)： |
6990 |
| 消耗積分： |
2
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