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水相/有機(jī)兩相電化學(xué)方法制備陣列聚吡咯納米線  
水相/有機(jī)兩相電化學(xué)方法制備陣列聚吡咯納米線
資料類(lèi)型： PDF文件
關(guān)鍵詞： 聚吡咯  界面聚合  電化學(xué)聚合  納米結(jié)構(gòu)陣列  
資料大小： 95K
所屬學(xué)科： 高分子化學(xué)
來(lái)源： 來(lái)源網(wǎng)絡(luò)
簡(jiǎn)介：
陣列納米結(jié)構(gòu)在化學(xué)、生物傳感器、場(chǎng)發(fā)射和光電器件等方面具有廣泛的應(yīng)用前景。我們采用水相/有機(jī)兩相體系，用電化學(xué)氧化的方法獲得垂直于電極表面的陣列聚吡咯納米線。與界面化學(xué)法合成聚苯胺相比，這種方法獲得的納米線比較均勻，納米線之間沒(méi)有融合的結(jié)點(diǎn)。與多步電化學(xué)和稀溶液化學(xué)氧化的方法生長(zhǎng)的陣列聚苯胺（長(zhǎng)度一般小于1微米）相比，這種方法獲得的吡咯納米線的長(zhǎng)度可以通過(guò)循環(huán)伏安的圈數(shù)控制在幾百納米到幾個(gè)微米之間，直徑可以通過(guò)電極表面的粗糙度來(lái)控制最初的成核密度來(lái)實(shí)現(xiàn)，大約在為110－200納米之間。這種納米線的形成區(qū)別于一般的模板法或無(wú)模板法，無(wú)須引入外來(lái)的空間取向因素。納米線的形成不受所用摻雜劑（酸）的影響。聚吡咯納米線形成的機(jī)理為首先在電極表面成核，由于摻雜劑的保護(hù)作用和界面擴(kuò)散控制的非常低的吡咯單體濃度使聚合是發(fā)生在納米線的頂端。該方法準(zhǔn)備陣列聚吡咯納米線非常簡(jiǎn)單有效，在納米器件（如場(chǎng)發(fā)射，化學(xué)和生物傳感器）和電響應(yīng)的功能表面等領(lǐng)域具有潛在的應(yīng)用。
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上傳時(shí)間： 2007-12-04 17:22:33
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