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浙江大學(xué)高超教授團(tuán)隊(duì)實(shí)現(xiàn)環(huán)境穩(wěn)定高導(dǎo)電石墨烯膜
2019-10-16  來源:中國聚合物網(wǎng)
關(guān)鍵詞:高導(dǎo)電 石墨烯膜

研究背景

  高導(dǎo)電薄膜材料在電磁屏蔽、柔性電子器件、高效熱管理、能源等領(lǐng)域具有重要作用。目前常用的導(dǎo)電薄膜主要是金屬材料,如銅箔和鋁箔等,然而金屬材料具有耐腐蝕性差、密度大等缺點(diǎn)。碳質(zhì)薄膜材料,如傳統(tǒng)的碳化聚酰亞胺薄膜材料、壓延石墨材料以及新興的碳納米管薄膜和石墨烯薄膜材料,具有導(dǎo)電率高、柔性好、易加工、耐腐蝕等優(yōu)勢。尤其是由石墨烯自下而上組裝成的宏觀石墨烯薄膜材料,由于其基本組成單元石墨烯具有最高的力學(xué)強(qiáng)度、最優(yōu)的電輸運(yùn)特性(導(dǎo)電率108 S/m;電子遷移速率200000 cm2/Vs),石墨烯薄膜有望將這些納米尺度的性質(zhì)在宏觀尺度表達(dá),發(fā)展成為取代金屬銅和鋁的理想材料。

  宏觀石墨烯薄膜材料通常是由氧化石墨烯組裝再經(jīng)還原而得到。高溫石墨化處理可以顯著修復(fù)sp2結(jié)構(gòu),提高石墨烯薄膜的導(dǎo)電率。目前已報道的石墨烯薄膜的最高導(dǎo)電率為1.1×106 S/m。然而,這仍與金屬導(dǎo)電率水平(107S/m)相差一個數(shù)量級,遠(yuǎn)遠(yuǎn)不能滿足人們對高導(dǎo)電石墨烯宏觀材料的渴求。因此,如何進(jìn)一步提高石墨烯薄膜的導(dǎo)電率,是石墨烯宏觀薄膜領(lǐng)域發(fā)展所面臨的關(guān)鍵問題。

  根據(jù)經(jīng)典的Drude理論模型,材料導(dǎo)電率正比于載流子濃度和載流子的遷移速率。石墨烯材料雖然具有極高的載流子遷移速率,但是其載流子濃度較低,可以通過增加石墨烯材料的載流子濃度來提高導(dǎo)電率,而化學(xué)摻雜是提高材料載流子濃度的最有效方法。事實(shí)上,化學(xué)摻雜已經(jīng)廣泛的用于提高石墨、石墨烯以及碳納米管等碳材料的導(dǎo)電率。課題組前期制備了鉀摻雜的石墨烯薄膜,其最高導(dǎo)電率可達(dá)1.49×107 S/m,然而鉀摻雜石墨烯薄膜空氣中不穩(wěn)定,空氣中水氧使其導(dǎo)電率急劇衰減,限制了其實(shí)際應(yīng)用。因此,開發(fā)環(huán)境穩(wěn)定高導(dǎo)電石墨烯膜材料仍存在巨大的挑戰(zhàn)。

本文亮點(diǎn)

(1)制備了大面積、結(jié)構(gòu)均勻、摻雜階數(shù)可控的石墨烯膜,發(fā)現(xiàn)了五氯化鉬摻雜階數(shù)與導(dǎo)電率的關(guān)系,揭示了摻雜增強(qiáng)導(dǎo)電率的機(jī)理。

(2)通過結(jié)構(gòu)調(diào)控,摻雜石墨烯膜的載流子遷移率最高可達(dá)2190.47 cm2/Vs,導(dǎo)電率1.73×107 S/m達(dá)到金屬量級,比導(dǎo)電率超過金屬銅11.7%,比銀高19%,并且具有良好的環(huán)境穩(wěn)定性、耐溶劑特性。

(3)摻雜石墨烯膜具有極低的溫阻系數(shù)(1.4×10-4 K-1),比銅和金等常用導(dǎo)體低一個數(shù)量級,在極低溫度下,也保持和室溫時相近的導(dǎo)電率。

內(nèi)容簡介

  近日,浙江大學(xué)高超(共同通訊)、許震(共同通訊)團(tuán)隊(duì)在前期工作的基礎(chǔ)和對前人工作的學(xué)習(xí)借鑒上,選用五氯化鉬(MoCl5)作為典型的摻雜劑,制備了大面積、結(jié)構(gòu)均勻、摻雜階數(shù)可控的MoCl5摻雜石墨烯(GF-MoCl5)薄膜材料。相對于純石墨烯膜,摻雜膜的載流子濃度、載流子遷移率均有所提高,導(dǎo)電率達(dá)到金屬量級。此外,摻雜石墨烯膜還具有良好的柔性、環(huán)境穩(wěn)定性以及極低的溫阻系數(shù)。這種環(huán)境穩(wěn)定高導(dǎo)電石墨烯薄膜可用作高效電磁屏蔽材料。

圖1、(a)GF-MoCl5制備過程示意圖,(b)大面積柔性GF-MoCl5照片,(c)純石墨烯膜(GF)的結(jié)構(gòu)示意圖,(d)一階摻雜石墨烯膜(GF-MoCl5-1)的結(jié)構(gòu)示意圖,(e)純石墨烯膜的STM照片,(f)GF-MoCl5-1的STM照片。

圖2、(a-c)GF和GF-MoCl5的XPS(a)、XRD(b)、Raman(c)光譜表征,(d-g)GF-MoCl5表面形貌及元素成像,(h-k)GF-MoCl5斷面形貌及元素成像。

圖3、(a)GF、GF-MoCl5導(dǎo)電率比較圖,(b)常見金屬以及不同階數(shù)摻雜石墨烯膜的比導(dǎo)電率對比圖,(c)載流子濃度和遷移率與摻雜階數(shù)的關(guān)系,(d)GF及GF-MoCl5導(dǎo)電率與溫度的關(guān)系曲線。

圖4、(a)GF-MoCl5導(dǎo)電率與空氣中存放時間的關(guān)系,(b)GF-MoCl5相對電阻變化與彎曲次數(shù)的關(guān)系,(c)不同溶劑浸泡后GF-MoCl5的導(dǎo)電率,插圖為GF-MoCl5在乙醇中攪拌的照片,(d)不同溶劑浸泡后GF-MoCl5的XRD圖譜,(e-f)GF-MoCl5的Raman成像掃描,(g)GF-MoCl5導(dǎo)電率與溫度和時間的關(guān)系曲線,(h)GF-MoCl5的熱失重曲線,(i)GF和GF-MoCl5的電磁屏蔽性能。

  這一成果的取得得益于高超團(tuán)隊(duì)之前的積累和對前人工作的學(xué)習(xí)借鑒。早在2011年,該研究團(tuán)隊(duì)就發(fā)現(xiàn)了氧化石墨烯液晶性,并利用液晶進(jìn)行連續(xù)化紡膜,進(jìn)一步的制備了高柔性高導(dǎo)熱石墨烯膜、高導(dǎo)電石墨烯膜。相關(guān)工作包括(Chem. Mater., 2014,26, 67-86;Acc. Chem. Res., 2014, 47(4),1267-1276;Chem. Rev., 2015, 115(15), 7046?7117;Adv. Mater.,2017, 1700589; Nanoscale, 2017, 9, 18613–18618; Carbon, 2019, 155,462-468)。

  相關(guān)成果以“Environmentally stablemacroscopic graphene film with specific electrical conductivity exceedingmetals”為題發(fā)表在Carbon (Carbon 156 (2020) 205-211)上,論文的第一作者為高超團(tuán)隊(duì)的博士后劉英軍。論文得到了國家重點(diǎn)研發(fā)計劃、國家自然科學(xué)基金、中國博士后科學(xué)基金等相關(guān)經(jīng)費(fèi)的資助。

  論文鏈接: https://doi.org/10.1016/j.carbon.2019.09.066

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(責(zé)任編輯:xu)
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