隨著電子設(shè)備的廣泛使用,電磁干擾(EMI)已成為現(xiàn)代社會(huì)的一個(gè)嚴(yán)重問題。強(qiáng)電磁干擾不僅會(huì)導(dǎo)致精密儀器失效,也會(huì)對(duì)人體健康帶來危害。因此,能夠降低或消除電磁干擾的電磁屏蔽材料引起了人們的廣泛關(guān)注。其中,高溫電磁屏蔽材料既能消除電磁干擾又能抵御高溫,在先進(jìn)航空、大功率發(fā)動(dòng)機(jī)、電子電器等尖端科技領(lǐng)域有廣泛應(yīng)用前景。
傳統(tǒng)銅或銀等金屬電磁屏蔽材料具有重量大、易生銹腐蝕、加工程序復(fù)雜等不足,限制了其在高溫電磁屏蔽領(lǐng)域的應(yīng)用。近年來電磁屏蔽導(dǎo)電高分子復(fù)合材料(CPC)因其重量輕、耐腐蝕、易加工等優(yōu)點(diǎn)引起越來越多關(guān)注。但多數(shù)CPC玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(Tg)較低,在高溫如250 oC時(shí)會(huì)碳化或降解,難以用于高溫電磁屏蔽。此外,CPC幾乎都是薄膜/板,而能適應(yīng)儀器實(shí)際形狀的材料在應(yīng)用中更有吸引力。
哈爾濱工業(yè)大學(xué)肖鑫禮等將短切碳纖維和炭黑作為導(dǎo)電填料加入形狀記憶聚酰亞胺(SMPI)基體中,首次研制出Tg為308 oC的電磁屏蔽形狀記憶聚酰亞胺(EMSMPI)。該EMSMPI重量損失為5 %時(shí)的分解溫度(Td) 為578oC,遠(yuǎn)高于其他電磁屏蔽CPC材料。其0.35 mm厚的薄膜在X-波段屏蔽效能超過23.9 dB,以吸收衰減為主 (14.85 dB),而純SMPI不具備屏蔽效能(圖1.a)。該材料循環(huán)使用步驟如下:(1) EMSMPI在340 oC熱臺(tái)上加工成暫時(shí)形狀,(2)室溫5分鐘固定暫時(shí)形狀,(3)放回340 oC熱臺(tái)上回復(fù)初始形狀,(4)再次測(cè)定其電磁屏蔽效應(yīng)。經(jīng)過30個(gè)循環(huán)后電磁屏蔽效能依然超過20 dB (圖1.b)?裳h(huán)性使EMSMPI在被加工成多種形狀以適應(yīng)器件的同時(shí)保持其電磁屏蔽效能,具有重要實(shí)際應(yīng)用價(jià)值。
圖1. 電磁屏蔽形狀記憶聚酰亞胺0.35 mm厚薄膜的屏蔽效能(a)及30次循環(huán)后屏蔽效能(b).
同時(shí)EMSMPI具有較高力學(xué)性能,0.35 mm厚的薄膜打孔后重0.0545 g (圖2.a),將為其自身重量43,000多倍的不銹鋼反應(yīng)釜(2.370 Kg)懸掛于孔中后,不會(huì)造成孔和薄膜的扭曲或損傷(圖2.b~2.c)。該薄膜能夠單側(cè)承載500g重的砝碼(圖2.d),證明該材料同時(shí)具備韌性高和強(qiáng)度大的特征。
圖2. EMSMPI打孔 (a),懸掛為其自身重量43,000倍的金屬 (b,c), 單側(cè)承載500g砝碼 (d).
相對(duì)其他電磁屏蔽材料,EMSMPI的一個(gè)顯著優(yōu)勢(shì)是其便捷的形狀可加工性。初始EMSMPI為平整薄膜 (圖3.a),在340 oC逐步被加工成包覆方鋼管一個(gè)面(圖3.b),兩個(gè)面(圖3.c),和三個(gè)面(圖3.d)。末端熱處理使其可緊貼在鋼管的另一面(圖3.e),形成包住方鋼管的電磁屏蔽聚酰亞胺方管(圖3.f)。此外,EMSMPI還可加工成圓形(圖3.g),五邊形(圖3.h),六邊形(圖3.i)等形狀。形狀可加工性使其形狀可隨器件形貌或尺寸變化,在精密儀器的電磁屏蔽中具有重要應(yīng)用前景。
圖3. EMSMPI形狀可加工性的展示。初始形狀 (a),變成方管的步驟(b-f), 以及其他形狀 (g-i).
EMSMPI的暫時(shí)形狀在280 oC高溫時(shí)可保持其穩(wěn)定形狀和屏蔽效能,因此特別適合用于高溫精密儀器的電磁屏蔽。
參考文獻(xiàn):Deyan Kong, Jie Li, Anru Guo, Xinli Xiao*. High Temperature Electromagnetic Shielding Shape Memory Polymer Composite. Chem. Eng. J. 2020. 10.1016/j.cej.2020.127365.
原文鏈接:https://www.sciencedirect.com/science/article/abs/pii/S1385894720334896?via%3Dihub
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