有機(jī)光探測(cè)器(OPDs)活性層內(nèi)部形貌對(duì)器件的量子轉(zhuǎn)化效率與暗/噪聲電流起著關(guān)鍵作用。OPD的活性層通常采用共混加工(BC),即將給體與受體的共混溶液直接旋涂在襯底上。但該加工方式不可避免地使受體與陽極直接接觸和給體與陰極直接接觸。由于非富勒烯受體具有較小的電子注入勢(shì)壘,在反向偏壓下從電極注入的電荷將顯著提升,導(dǎo)致器件暗/噪聲電流的增加與探測(cè)率的降低。避免該問題可使用逐層加工(SC),即先旋涂給體層,再在其上旋涂受體層,誘導(dǎo)活性層形成縱向組分分布。此外,研究發(fā)現(xiàn)逐層加工可有效改善活性層的結(jié)晶和相分離。因此,逐層加工活性層有望同時(shí)降低暗/噪聲電流和提升量子轉(zhuǎn)化效率,實(shí)現(xiàn)高性能的有機(jī)光探測(cè)器。盡管如此,關(guān)于逐層加工的形貌調(diào)控策略及其對(duì)器件性能的影響仍未明確,這需要更多的工作進(jìn)行深入的探索。
逐層加工的NT812:IEICO-4F薄膜中IEICO-4F的吸光度貢獻(xiàn)明顯增加,這有利于提升OPD在近紅外光區(qū)的探測(cè)性能。此外,TOF-SIMS結(jié)果顯示,沿薄膜的縱向,IEICO-4F的分布逐漸降低,而NT812則逐漸增加,而共混加工的薄膜中,兩種組分均沒有明顯的成分梯度變化。
圖1. 基于NT812:IEICO-4F薄膜的能級(jí)、吸收以及制備過程
在-0.1 V下,SC器件在620-870 nm波長范圍內(nèi)的EQE從45%增加至60%。器件的光響應(yīng)度在860 nm處由0.32A/W增加至0.42 A/W。SC器件在-0.1V的暗電流密度低至2.2×10–10 A/cm2。因此,SC器件在860 nm處得到的最大比探測(cè)率為5.0×1013 Jones,這是已報(bào)道的近紅外OPD最高值之一。
圖2. BC和SC器件性能對(duì)比
圖3. NT812:IEICO-4F薄膜的晶相表征
圖4. NT812:IEICO-4F薄膜的NK-RSoXS表征
圖5. 纖維多相態(tài)形貌在其它共混體系的有效性
原文鏈接:https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S138589472204774X
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