聚合物電介質(zhì)薄膜電容器具有極高的能量轉(zhuǎn)換速率,在電磁能裝備、電力電子以及新能源裝備等領(lǐng)域的作用至關(guān)重要。隨著裝備、器件往緊湊化、輕量化、工作環(huán)境極端化方向發(fā)展,對聚合物電介質(zhì)薄膜的儲能密度以及耐高溫性能的要求越來越高。電荷存儲密度和電場強(qiáng)度的平方成正比,因此,電介質(zhì)薄膜承受的電場增加,電荷存儲密度則會快速增加。然而,聚合物薄膜在高電場下以電子電導(dǎo)為主,不再符合歐姆定律,電導(dǎo)電流隨電場強(qiáng)度增加呈指數(shù)增大,會產(chǎn)生大量的焦耳熱。傳統(tǒng)聚合物電介質(zhì)的導(dǎo)熱系數(shù)普遍較低(< 0.2 W/(mK)),散熱效率很低,會造成介質(zhì)溫度快速升高,進(jìn)而引起電導(dǎo)指數(shù)增加、耐電強(qiáng)度急速降低等連鎖反應(yīng),從而造成器件、裝備失效等嚴(yán)重問題,在高溫下工作的器件裝備散熱問題尤其提出。盡管可以通過引入納米添加等方式增加聚合物電介質(zhì)的導(dǎo)熱系數(shù),但這往往以犧牲耐電強(qiáng)度為代價,更重要的納米添加給薄膜制造工藝帶來極大挑戰(zhàn)。因此,開發(fā)耐高溫、本征高導(dǎo)熱的聚合物電介質(zhì)薄膜是最好選擇。
圖1雙鏈結(jié)構(gòu)聚合物電介質(zhì)薄膜的分子結(jié)構(gòu)和自組裝形貌
圖2雙鏈結(jié)構(gòu)聚合物電介質(zhì)的導(dǎo)電性和電擊穿強(qiáng)度
采用紅外相機(jī)直觀地研究了200 oC、300 MV/m下PSBNP-co-PTNI0.02和聚醚酰亞胺(PEI,已知最好的商品耐高溫聚合物電介質(zhì)薄膜)的連續(xù)充-放電循環(huán)過程中的發(fā)熱現(xiàn)象,在高導(dǎo)熱的PSBNP-co-PTNI0.02薄膜中未觀察到局部熱積聚現(xiàn)象,而低導(dǎo)熱的PEI膜則出現(xiàn)了明顯的局部熱積聚。研究團(tuán)隊模擬電介質(zhì)薄膜電容器芯子的熱場分布,發(fā)現(xiàn)PSBNP-co-PTNI0.02薄膜電容芯子的中心溫度遠(yuǎn)低于PEI薄膜電容芯子,充-放電循環(huán)更加穩(wěn)定,實(shí)驗也證明PSBNP-co-PTNI0.02薄膜連續(xù)充-放電循環(huán)壽命是PEI薄膜的6倍。
原文鏈接:https://www.nature.com/articles/s41586-022-05671-4
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