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南工大材料學(xué)院:低滲流閾值PVDF/MWCNT復(fù)合材料的導(dǎo)電、流變及機(jī)械性能研究
2024-04-24  來(lái)源:高分子科技

  近年來(lái),隨著電子設(shè)備朝著微型化、柔性化和可穿戴化的方向發(fā)展,傳統(tǒng)導(dǎo)電材料存在質(zhì)量大、難加工、價(jià)格貴、易于氧化等缺點(diǎn),難以滿(mǎn)足人們對(duì)導(dǎo)電材料的需求。而導(dǎo)電聚合物基復(fù)合材料(CPC具有出色的加工性能、機(jī)械性能、電氣性能和電阻可調(diào)性,因此備受關(guān)注。



  近日,以南京工業(yè)大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院碩士研究生湯駿航為第一作者、毛澤鵬副教授為通訊作者在國(guó)際期刊Polymer Composites發(fā)表題為“Low percolation threshold polyvinylidene fluoride/multi-walled carbon nanotube composites: A perspective of electrical conductivity, crystalline, rheological and mechanical properties”的研究工作。該工作選用大長(zhǎng)徑比的一維導(dǎo)電填料多壁碳納米管(MWCNT)修飾絕緣聚合物聚偏氟乙烯(PVDF),通過(guò)簡(jiǎn)單熔融共混的工藝制備了PVDF/MWCNT復(fù)合材料,探究了MWCNTPVDF中的滲流閾值,以及其對(duì)PVDF流變和機(jī)械性能的影響。 


1 PVDF/MWCNT中導(dǎo)電通道的形成過(guò)程及體積電阻率


  PVDF/MWCNT復(fù)合材料的體積電阻率與MWCNT體積分?jǐn)?shù)之間存在顯著的滲流效應(yīng)。當(dāng)MWCNT含量小于0.7 vol%時(shí),PVDF/MWCNT復(fù)合材料的體積電阻率接近純PVDF3.97 × 1012 W?m),仍處于絕緣狀態(tài)。此時(shí),雖然MWCNTPVDF出現(xiàn)了部分相互接觸的區(qū)域,但是很難形成完整的導(dǎo)電通路MWCNT的含量繼續(xù)增加,其在PVDF中相互接觸的概率也隨之增加。vol% MWCNTPVDF中形成更完整的導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò),實(shí)現(xiàn)電荷的傳輸。此時(shí),復(fù)合材料的體積電阻率降低了11個(gè)數(shù)量級(jí),含有1 vol% MWCNT復(fù)合材料體積電阻率僅為3.71 × 101 W?m。顯然,MWCNT的滲流閾值在0.7vol%之間。通過(guò)滲流理論公式,擬合得到理論滲閾值為0.81 vol%,這與實(shí)際值非常吻合。MWCNTPVDF中的滲流閾值較低,是因?yàn)?/span>MWCNT具有較大的長(zhǎng)比,易在基體中構(gòu)筑長(zhǎng)程導(dǎo)電通路。


  在本研究中,使用一維導(dǎo)電填料MWCNT在絕緣聚合物PVDF中構(gòu)筑導(dǎo)電通道,探究了MWCNTPVDF中的滲流閾值。利用MWCNT的大長(zhǎng)徑比,在極低的含量下形成較為完整的導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)。值得一提的是,PVDF/MWCNT的流變性能受到的影響較小,大長(zhǎng)徑比的MWCNT使PVDF/MWCNT的機(jī)械性能得到增強(qiáng)。


  原文鏈接:https://doi.org/10.1002/pc.28324

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