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中科院長(zhǎng)春應(yīng)化所李茂研究員課題組《Sci. Adv.》:?jiǎn)误w組成和序列可控聚合物單層導(dǎo)電研究
2023-06-21  來(lái)源:高分子科技

  序列結(jié)構(gòu)精確合成和性質(zhì)研究是高分子科學(xué)研究的前沿和熱點(diǎn)。迭代合成被認(rèn)為是序列可控聚合物的精確合成方法,主要包括液相和固相兩種方法。液相迭代合成和純化是溶解度依賴(lài)的,取決于目標(biāo)聚合物的溶解性。固相迭代合成對(duì)目標(biāo)聚合物的溶解性沒(méi)有特別要求,合成效率受限于固/液界面反應(yīng)速率、單體疊加反應(yīng)的動(dòng)力學(xué)和平行合成統(tǒng)計(jì)學(xué)屬性。如何區(qū)分聚合物分子內(nèi)導(dǎo)電和分子間導(dǎo)電是序列可控導(dǎo)電研究首要問(wèn)題。一般合成方法得到的納米尺度鏈?zhǔn)骄酆衔,在二維表面得到的是無(wú)定形、部分結(jié)晶或微尺寸結(jié)晶薄膜,理論上難以實(shí)現(xiàn)單一取向聚合物的宏觀大面積薄膜。中國(guó)科學(xué)院長(zhǎng)春應(yīng)用化學(xué)研究所李茂課題組(現(xiàn)吉林大學(xué))建立了電化學(xué)迭代合成方法,是反應(yīng)動(dòng)力學(xué)和統(tǒng)計(jì)學(xué)允許的精確合成和平行合成。這種方法能夠制備單一取向的聚合物結(jié)晶單層,為序列可控聚合物的導(dǎo)電研究提供了必要前提。研究結(jié)果表明,序列可控聚合物結(jié)晶單層作為分子內(nèi)導(dǎo)電研究模型,證明單體組成和序列是豐富薄膜導(dǎo)電功能和優(yōu)化導(dǎo)電性能高效途徑。


  電化學(xué)迭代合成是以電活性自組裝單層為模板,氧化和還原開(kāi)關(guān)反應(yīng)作為迭代合成的兩種反應(yīng)(Angew. Chem. Int. Ed. 2018, 57, 16698);贑-C偶聯(lián)的電化學(xué)反應(yīng)不需要保護(hù)和脫保護(hù)步驟。電刺激極大地促進(jìn)了固/液界面反應(yīng)效率,電化學(xué)反應(yīng)條件控制可以實(shí)現(xiàn)理想的單體迭代線性關(guān)系,能夠制備薄膜厚度和分子理論長(zhǎng)度相當(dāng)?shù)木酆衔飭螌。因此,可以認(rèn)為電化學(xué)迭代合成是單體反應(yīng)動(dòng)力學(xué)和統(tǒng)計(jì)學(xué)允許的聚合物平行合成和精確合成方法。通過(guò)電極表面電活性位點(diǎn)的密度可以調(diào)控聚合物單層密度,不僅可以制備聚合物結(jié)晶單層,而且還可以制備聚合物單鏈(~110 nm, 50個(gè)重復(fù)單體,Angew. Chem. Int. Ed. 2023, 62, e202216838)。通過(guò)迭代單體種類(lèi)替換可以實(shí)現(xiàn)復(fù)雜結(jié)構(gòu)和功能聚合物的序列可控合成(Nature Communications 2020, 11, 2530)。 


圖1 電阻轉(zhuǎn)換和電化學(xué)迭代合成示意圖。(A)導(dǎo)電燈絲的隨機(jī)生成與斷裂;(B)聚合物單層穩(wěn)定的導(dǎo)電通道;(C)EGaIn電極測(cè)試測(cè)試示意圖;(D)分子氧化還原態(tài);(E)序列可控合成示意圖。聚合物單層穩(wěn)定的導(dǎo)電通道利于制備高重現(xiàn)性的微納尺寸材料和器件。 


2 聚合物單層薄膜制備與表征。(A-D)電化學(xué)監(jiān)控合成;(E)迭代次數(shù)依賴(lài)的分子單層形貌變化;(F)聚合物單層隨機(jī)位點(diǎn)的導(dǎo)電;(G)聚合物單層X(jué)RD表征;(H)聚合物單層模量表征。電化學(xué)迭代合成過(guò)程中理想線性關(guān)系表明聚合物單層制備高度可控。具體地,不同組成和序列可控的迭代合成中,每一步不同金屬種類(lèi)的迭代,都可以通過(guò)不同電位下的響應(yīng)電流識(shí)別。聚合物單層的粗糙度可控為隨機(jī)位點(diǎn)導(dǎo)電穩(wěn)定性提供了前提。ITO基底本身的粗糙度為0.6 nm-1,迭代9次的粗糙度只有較小的變化0.8 nm-1。XRD衍射峰對(duì)應(yīng)的尺寸在0.3 ~ 0.6 nm范圍,可以認(rèn)為是垂直于基底的聚合物分子間的距離,分別取決于三聯(lián)吡啶的旋轉(zhuǎn)狀態(tài)。模量測(cè)試的形變?yōu)? nm,僅為分子厚度的四分之一。因此,模量值與其他文獻(xiàn)報(bào)道直接比較是不嚴(yán)謹(jǐn)?shù)。但是,聚合物單層的模量達(dá)到了無(wú)機(jī)材料的水平,高于電極基底ITO本身。典型的模量測(cè)試要求形變距離要為材料厚度的十分之一。高度規(guī)整的聚合物單層結(jié)晶薄膜為可靠的導(dǎo)電測(cè)試提供了前提。 


3 組成和序列控制的導(dǎo)電。(A)含鐵聚合物單層導(dǎo)電的分子長(zhǎng)度依賴(lài)性;(B-D)含不同金屬聚合物單層導(dǎo)電性能的分子長(zhǎng)度依賴(lài)性;(E)序列可控聚合物的導(dǎo)電性質(zhì);(F)單一金屬種類(lèi)和不同金屬種類(lèi)電子轉(zhuǎn)移過(guò)程示意圖。薄膜導(dǎo)電主要依賴(lài)于金屬種類(lèi),呈現(xiàn)出Os > Fe > Ru的導(dǎo)電順序。高度規(guī)整的聚合物結(jié)晶單層得到的電荷傳輸衰減系數(shù),與一般固相合成的類(lèi)似結(jié)構(gòu)聚合物的數(shù)值相比更低。多組分聚合物單層薄膜導(dǎo)電與序列有關(guān),呈現(xiàn)出AB嵌段結(jié)構(gòu) > AABB交替結(jié)構(gòu) > AB交替和ABC嵌段結(jié)構(gòu) > ABC交替結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電規(guī)律。調(diào)控單體組成和序列十聚體單層薄膜的電流密度具有兩個(gè)數(shù)量級(jí)的差別。另外,聚合物單層的導(dǎo)電性能還與聚合物密度有關(guān)。與三聯(lián)吡啶金屬配位聚合物(密度0.63 units/nm2相比,基于二聯(lián)吡啶配位的聚合物單層(密度0.79 units/nm2)電荷傳輸衰減系數(shù)低至0.063 nm-1Cell Reports Physical Science 2022, 3, 100852),這是分子單層報(bào)道最低值。 


4 聚合物長(zhǎng)度及單體組成和序列控制的非線性導(dǎo)電隨著金屬種類(lèi)和數(shù)量的變化,這些單分子薄膜表現(xiàn)出豐富的非線性導(dǎo)電行為,具有可控的電流遲滯、NDR效應(yīng)、開(kāi)關(guān)比、(非)平衡態(tài),以及記憶電阻特性和記憶電容特性之間的自由轉(zhuǎn)換。具體地,單層薄膜電流密度和開(kāi)關(guān)比具有四個(gè)數(shù)量級(jí)調(diào)控能力。NDR效應(yīng)評(píng)價(jià)參數(shù)RPtVRon/off最高值分別是15.8和1000,與當(dāng)前報(bào)道最高值相當(dāng)。如圖4I,J所示,單體簡(jiǎn)單的變換順序,單一NDR響應(yīng)的阻變曲線轉(zhuǎn)變?yōu)槎郚DR響應(yīng)的NDR阻變曲線。單一取向聚合物結(jié)構(gòu)具有分子內(nèi)優(yōu)先電荷傳輸能力,限制了導(dǎo)電燈絲的生成和斷裂的隨機(jī)性和不穩(wěn)定性,有利于制備高重現(xiàn)性微納分子材料和器件。


  以上成果發(fā)表在Science Advances (DOI: 10.1126/sciadv.adh0667)上。


  論文鏈接: http://www.science.org/doi/10.1126/sciadv.adh0667


李茂教授簡(jiǎn)介:


李茂:男,1979年出生,吉林大學(xué)超分子結(jié)構(gòu)與材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室教授,博士生導(dǎo)師。2002年本科與2007年博士畢業(yè)于吉林大學(xué)化學(xué)學(xué)院(導(dǎo)師:馬於光教授/院士)。2007年至2013年期間分別在以色列魏茲曼研究所(導(dǎo)師:Michael Bendikov教授)、美國(guó)康奈爾大學(xué)(導(dǎo)師:Héctor D. Abru?a教授/院士)和日本物質(zhì)材料研究所(NIMS)(導(dǎo)師:Katsuhiko Ariga教授)從事博士后研究,并得到Feinberg和JSPS資助。2013至2023年,中國(guó)科學(xué)院長(zhǎng)春應(yīng)用化學(xué)研究所研究員,課題組組長(zhǎng),并得到了中科院BR計(jì)劃資助。李茂教授自研究生時(shí)期至今專(zhuān)注研究電化學(xué)聚合,致力于發(fā)展更為可控和精準(zhǔn)的電化學(xué)聚合方法。主要成果包括:(1)利用電活性芳烴反應(yīng)位點(diǎn)的取代基和電位依賴(lài)性及機(jī)理新認(rèn)識(shí),發(fā)展了拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)可控電化學(xué)聚合,能夠拓展復(fù)雜結(jié)構(gòu)聚合物合成與光電功能薄膜制備方法。(2)以自組裝單層為模板,利用氧化和還原交替反應(yīng),建立了電化學(xué)迭代合成方法。這種可修復(fù)精確合成和序列可控合成,同時(shí)實(shí)現(xiàn)不溶不熔聚合物合成與結(jié)晶。(3)應(yīng)對(duì)器件小型化和集成化需求,提出了聚合物單分子薄膜新材料體系,其單一取向非線性導(dǎo)電結(jié)晶材料具有極限的物理特征,包括分子密度、模量和導(dǎo)電性能。2014年至2023年間獲得了國(guó)家自然科學(xué)基金委基金委3項(xiàng)面上項(xiàng)目和1次重大培育項(xiàng)目的資助。


課題組招聘博士后,要求有機(jī)合成,功能配合物,電化學(xué)和高分子化學(xué)相關(guān)背景。歡迎對(duì)課題組感興趣的同學(xué)報(bào)考碩士或博士研究生。


聯(lián)系信箱:Limao@jlu.edu.cn


課題組主頁(yè):http://electropolymao.cn/

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