80电影天堂网,少妇高潮一区二区三区99,jαpαnesehd熟女熟妇伦,无码人妻精品一区二区蜜桃网站

搜索:  
湘潭大學(xué)陳盛課題組 Small:聚苯乙烯電介質(zhì)中的分子陷阱機(jī)理研究
2023-12-27  來源:高分子科技

  聚合物薄膜電容器因其超高的充放電速度、輕量、安全、低成本等特點(diǎn)廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備與電力系統(tǒng)中。然而,在日益增長的電子設(shè)備高性能需求的背景下,具有低的放電能量密度與使用溫度的聚合物電介質(zhì)材料已不能滿足設(shè)備小型化與極端溫度使用的要求。在解決聚合物電介質(zhì)低能量密度的問題上,當(dāng)前研究主要集中于提高聚合物的介電常數(shù)和擊穿強(qiáng)度。對于前者,取向極化被認(rèn)為是提高介電常數(shù)同時維持較低介電損耗的較佳方法;而對于后者,通過有機(jī)/無機(jī)填料與基體聚合物之間的電子親和性差異構(gòu)筑電荷陷阱,提高聚合物電介質(zhì)材料的擊穿強(qiáng)度與效率則是當(dāng)前研究的熱點(diǎn)。


  近期,湘潭大學(xué)陳盛課題組聯(lián)合中南大學(xué)羅行研究員基于DFT理論方法探索了分子結(jié)構(gòu)設(shè)計在聚苯乙烯電介質(zhì)中理性構(gòu)建電荷陷阱的方法,并結(jié)合Marcus電荷傳輸理論對電荷陷阱如何影響電介質(zhì)材料擊穿強(qiáng)度的原因做出了動態(tài)微觀闡述,為今后設(shè)計高擊穿強(qiáng)度的聚合物電介質(zhì)材料提供了理論計算的可行性。


  針對該領(lǐng)域目前構(gòu)建電荷陷阱的任意性,作者利用DFT理論方法仔細(xì)分析了30個精心設(shè)計的具有不同取代烷烴和芳烴分子的電子親和能、電離勢。受到環(huán)結(jié)構(gòu)和取代基性質(zhì)的影響,分子的電子親和能可在負(fù)值到正值之間調(diào)節(jié),這為指導(dǎo)設(shè)計具有特定電子親和能的分子結(jié)構(gòu)提供了參考依據(jù)。同時,由于基于Koopmans定理使用HOMO能級和LUMO能級代替分子的垂直電離勢(VIP)和垂直電子親和能(VEA)具有一定的誤差,認(rèn)為應(yīng)該從嚴(yán)格的能量定義出發(fā)計算電子親和能并進(jìn)而構(gòu)建電荷陷阱見圖1)。 


1. a) 垂直電離勢(VIP)和絕熱電離勢(VEA)的計算示意圖;b) 垂直電子親和能(VEA)和絕熱電子親和能(AEA)的計算示意圖;c) 30個分子的VIPHOMO能級的關(guān)系;d) 30個分子的VEALUMO能級的關(guān)系。


  基于四聚苯乙烯-0.25 eV的垂直電子親和能(VEA),作者從30個設(shè)計的分子中選擇了具有1.39 eV VEA10.15 D大偶極矩的4’-硝基4-二甲氨基偶氮苯(NAABZ)作為構(gòu)建電荷陷阱同時兼顧高介電常數(shù)填料的典型有機(jī)分子進(jìn)行研究。NAABZ的引入對聚苯乙烯復(fù)合薄膜的介電常數(shù)增幅與預(yù)期不符。在1 kHz下,3 wt% NAABZ復(fù)合薄膜的介電常數(shù)相較于純聚苯乙烯僅提升了0.28(圖2a))。作者認(rèn)為NAABZ的高偶極矩受限于分子的龐大體積和高含量時的結(jié)晶無法在電場下完成有效取向,從而限制了介電常數(shù)的提升。但NAABZ的高電子親和能深刻影響了聚苯乙烯電介質(zhì)的擊穿強(qiáng)度(圖2b));陔p參數(shù)Weibull統(tǒng)計,作者發(fā)現(xiàn)隨NAABZ含量的增加,復(fù)合薄膜的擊穿強(qiáng)度呈拋物線變化,并在0.75 wt%時達(dá)到最大值710 MV/m,相較于純聚苯乙烯提高了190 MV/m。由于材料的擊穿與電導(dǎo)關(guān)系密切,作者結(jié)合復(fù)合薄膜的泄露電流數(shù)據(jù)對這一現(xiàn)象展開了研究。


  三種電導(dǎo)模型被用于擬合聚苯乙烯基復(fù)合薄膜的泄露電流密度,包括肖特基激發(fā)、Poople-Frenkel電導(dǎo)和跳躍電導(dǎo)。研究發(fā)現(xiàn),通過分段擬合,跳躍電導(dǎo)模型具有最高的擬合度(圖2c)),從而被確定為聚苯乙烯基復(fù)合薄膜的主要電導(dǎo)方式。基于跳躍導(dǎo)電的公式,通過對泄露電流密度取自然對數(shù)值,影響電導(dǎo)的載流子濃度和平均跳躍距離可分別進(jìn)入常數(shù)項和一次項。這使得NAABZ引起的界面勢壘變化所導(dǎo)致的載流子濃度變化可不在曲線的斜率中反應(yīng),從而由斜率導(dǎo)出的平均跳躍距離只包含NAABZ的引入對復(fù)合薄膜電導(dǎo)的載流子遷移速率的影響。從圖2d)可知,引入NAABZ后,大部分復(fù)合薄膜的載流子的平均跳躍距離均低于純聚苯乙烯的平均跳躍距離,充分說明了NAABZ對載流子遷移的約束能力。其中0.5 wt%時有最小值0.31 nm,有較低擊穿強(qiáng)度的PSt-3.00%NAABZ則在低場下就具有較高的平均跳躍距離。這受到NAABZ在聚苯乙烯中固溶體狀態(tài)的單分子分散和相分離的結(jié)晶析出狀態(tài)的影響。在更高電場下,PSt-0.75%NAABZ呈現(xiàn)了最低的平均跳躍距離,與擊穿強(qiáng)度的變化規(guī)律一致。 


2. a) 1 kHz下不同NAABZ含量聚苯乙烯復(fù)合薄膜介電常數(shù)的變化;b) 聚苯乙烯基復(fù)合薄膜的Weibull擊穿強(qiáng)度和形狀參數(shù);c) 利用跳躍電導(dǎo)擬合的泄露電流數(shù)據(jù);d) 聚合物基復(fù)合薄膜的平均跳躍距離。


  為了更深入理解NAABZ在聚苯乙烯中扮演的電荷傳輸角色,作者使用DFT理論分析了聚苯乙烯和NAABZ之間的電荷傳輸。作者首先建立了四聚苯乙烯和NAABZ的復(fù)合物模型,分析了其電子結(jié)構(gòu)和電子親和性差異。在圖3a)中,復(fù)合物的態(tài)密度基于Hirshfeld劃分分成四聚苯乙烯的紅色部分和NAABZ的藍(lán)色部分。在-3.07 eV-2.02 eV處的兩個局域態(tài)空軌道幾乎完全由NAABZ部分貢獻(xiàn),已有的電荷陷阱模型可將其認(rèn)知為陷阱能級用于束縛電子。為更直觀地表現(xiàn)出由分子電子親和能差異導(dǎo)致的電荷陷阱,作者對該復(fù)合物在中性分子結(jié)構(gòu)下增加了一個電子,觀察了電子密度發(fā)生變化的部分。由圖3b, c)可知,藍(lán)色部分,即電子密度增加等值面(0.002 a.u.)幾乎只集中于NAABZ小分子上,與聚苯乙烯和NAABZ的電子親和能相符。從熱力學(xué)的角度,聚苯乙烯-NAABZ復(fù)合物中的NAABZ可利用能量優(yōu)勢形成電子陷阱完成對載流子遷移的約束。


  從動力學(xué)的角度分析聚苯乙烯間、聚苯乙烯向NAABZNAABZ向聚苯乙烯的電荷轉(zhuǎn)移是一件頗具挑戰(zhàn)但意義重大的事情。通過三種電荷轉(zhuǎn)移速率的比較可以從時間尺度上分析電荷陷阱的存在方式。作者采用了MarcusMarcus-Jortner-Levich電荷傳輸理論完成了此計算。在未施加外電場下,聚苯乙烯間的過量電子轉(zhuǎn)移速率在1012 s-1量級(圖3e)),聚苯乙烯向NAABZ的電子轉(zhuǎn)移速率為103 s-1量級,NAABZ向聚苯乙烯的電子轉(zhuǎn)移速率為10-79 s-1量級(圖3f))。三種速率的比較可以說明,NAABZ在不受外電場干擾下可極穩(wěn)定約束獲得的電子。然而由于聚苯乙烯向NAABZ的電子轉(zhuǎn)移速率遠(yuǎn)低于聚苯乙烯間的電子轉(zhuǎn)移,這導(dǎo)致電子在凝聚態(tài)的轉(zhuǎn)移中,雖然NAABZ擁有極強(qiáng)的電荷約束能力,但聚苯乙烯向NAABZ的電子轉(zhuǎn)移過程并不具備概率上的優(yōu)勢。


  由于Marcus電荷傳輸理論所帶來的固有的反熱力學(xué)直覺的反轉(zhuǎn)區(qū)的存在,且考慮到載流子平均跳躍距離減少這一事實,作者在遠(yuǎn)反轉(zhuǎn)區(qū)提出了一個可能的反常電荷陷阱,用以說明NAABZ可作為有效電荷陷阱減少載流子遷移率,以增加聚苯乙烯基復(fù)合薄膜的擊穿強(qiáng)度。在高電場強(qiáng)度下,電子逆電場方向移動可以減少自身的電勢能,從而降低位能差提高電荷轉(zhuǎn)移速率。而由NAABZ高電子親和能帶來的聚苯乙烯向NAABZ電子轉(zhuǎn)移的極低位能差所引起的極低電荷轉(zhuǎn)移速率,可以通過電子在電場下的正向流動所引起的電勢能增加而導(dǎo)致的位能差增加發(fā)生改變,并迅速增加,這一過程由圖3h)的細(xì)藍(lán)色箭頭描述。在圖3d)中,這一過程即表現(xiàn)為減少,轉(zhuǎn)移速率由遠(yuǎn)反轉(zhuǎn)區(qū)向近反轉(zhuǎn)區(qū)靠近,實現(xiàn)電子轉(zhuǎn)移速率的增加。電子在轉(zhuǎn)移至NAABZ后,具有極低的電子轉(zhuǎn)移速率的NAABZ-PSt過程可通過電勢能的減少增加其轉(zhuǎn)移速率,這一過程由圖3h)的細(xì)紅色箭頭描述。在圖3d)中,這一過程可表現(xiàn)為處于第一條綠色左側(cè)的向右靠近,實現(xiàn)電子轉(zhuǎn)移速率的增加。從而,由于反轉(zhuǎn)區(qū)的存在,一個可以降低載流子遷移率的反常電荷陷進(jìn)可以在高電場下形成,并實現(xiàn)聚苯乙烯基復(fù)合薄膜擊穿強(qiáng)度的增加。


  作者認(rèn)為,高電子親和能分子利用正的電子親和能降低位能差實現(xiàn)轉(zhuǎn)入速率的提升和轉(zhuǎn)出速率的減少,進(jìn)入實現(xiàn)對載流子遷移的約束。但反轉(zhuǎn)區(qū)的存在以及高電子親和性對電荷在金屬-聚合物界面注入的促進(jìn)作用使得一味提高分子電子親和能不具備必要性。尋找使得聚合物-分子復(fù)合物體系的重組能和位能差之和為0的組合可能可以獲得更高效的陷阱作用,并帶來最優(yōu)越的介電強(qiáng)度。 


3. a) 四聚苯乙烯-NAABZ復(fù)合物的態(tài)密度;復(fù)合物的電子密度圖,b) 側(cè)視圖;c) 俯視圖;d) 電荷轉(zhuǎn)移速率隨位能差與重組能之間關(guān)系變化示意圖;e) 四聚苯乙烯間電子轉(zhuǎn)移速率;f) 四聚苯乙烯-NAABZ間電子轉(zhuǎn)移速率;g) 正常電荷陷阱示意圖;h) 反常電荷陷阱示意圖。


  該研究成果以“Mechanism Study of Molecular Trap in All-Organic Polystyrene-Based Dielectric Composite”為題發(fā)表在《Small》雜志上(Small 2023, 2306034)。論文第一作者為湘潭大學(xué)化學(xué)學(xué)院碩士研究生唐新璇,論文的計算工作得到了武漢大學(xué)鐘成副教授的指導(dǎo),湘潭大學(xué)陳盛教授和中南大學(xué)羅行研究員為共同通訊作者。


通訊作者簡介

  陳盛,男,19867月出生于湖南益陽,漢族,中共黨員,教授,主要從事液晶高分子材料和儲能聚合物電介質(zhì)材料的研究。近年來,主持了國家自然科學(xué)基金青年項目、湖南省自然科學(xué)面上項目、湖南省自然科學(xué)青年項目、湖南省教育廳創(chuàng)新項目、湖南省教育廳優(yōu)秀青年項目、教育部產(chǎn)學(xué)合作、協(xié)同育人項目等。以第一作者和通訊作者身份在Advanced Functional Materials、Advanced Science、Small、Energy & Environmental Materials、ACS Applied Materials & Interfaces、Journal of Materials Chemistry A、Macromolecules、Chemical Engineering JournalACS Sustainable Chemistry & Engineering、Journal of Power Sources、Composites Part A等期刊上發(fā)表SCI論文50多篇。


  原文鏈接:https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/smll.202306034

  下載:Mechanism Study of Molecular Trap in All-Organic Polystyrene-Based Dielectric Composite

版權(quán)與免責(zé)聲明:中國聚合物網(wǎng)原創(chuàng)文章?锘蛎襟w如需轉(zhuǎn)載,請聯(lián)系郵箱:info@polymer.cn,并請注明出處。
(責(zé)任編輯:xu)
】【打印】【關(guān)閉

誠邀關(guān)注高分子科技

更多>>最新資訊
更多>>科教新聞