80电影天堂网,少妇高潮一区二区三区99,jαpαnesehd熟女熟妇伦,无码人妻精品一区二区蜜桃网站

搜索:  
天津大學(xué)李立強(qiáng)-陳小松課題組《Nat. Commun.》:大自然的精巧設(shè)計(jì) - 有機(jī)半導(dǎo)體內(nèi)的痕量氧摻雜
2024-01-27  來源:高分子科技

  大自然與人工的精巧設(shè)計(jì)是很多科學(xué)領(lǐng)域起源與發(fā)展的重要推動(dòng)力。有機(jī)半導(dǎo)體是一類新型半導(dǎo)體材料,在柔性大面積電子學(xué)領(lǐng)域有廣闊的應(yīng)用前景。目前,科學(xué)家通過精巧的分子設(shè)計(jì),開發(fā)數(shù)以萬計(jì)有機(jī)半導(dǎo)體分子,獲得了豐富的物性。傳統(tǒng)觀點(diǎn)認(rèn)為分子結(jié)構(gòu)是這些物性的本征起源,但是否存在自然界的其他因素主導(dǎo)著有機(jī)半導(dǎo)體物性一直未被揭示。


  雜質(zhì)即便在痕量水平下也會(huì)顯著影響半導(dǎo)體的光電性質(zhì),對(duì)其認(rèn)知和調(diào)控是現(xiàn)代半導(dǎo)體理論體系和應(yīng)用技術(shù)的基石。氧是自然界的重要物質(zhì),材料和器件的許多性質(zhì)都與之密切相關(guān)。氧長(zhǎng)期以來被認(rèn)為是載流子陷阱,會(huì)造成遷移率衰減和穩(wěn)定性問題。這種理解在實(shí)驗(yàn)上來源于傳統(tǒng)的脫氧方法,例如退火和升華。然而,傳統(tǒng)方法純化的有機(jī)半導(dǎo)體內(nèi)是否仍存在痕量氧一直未被證實(shí),因此,關(guān)于氧的作用以及有機(jī)半導(dǎo)體本征性質(zhì)的研究結(jié)論有待商榷。


  最近,天津大學(xué)分子聚集態(tài)科學(xué)研究院李立強(qiáng)-陳小松課題組揭示了有機(jī)半導(dǎo)體內(nèi)普遍存在痕量(10^-15/cm3)氧,其與有機(jī)半導(dǎo)體相互作用,形成超氧根陰離子自由基和有機(jī)半導(dǎo)體陽離子自由基,這是一種p型摻雜狀態(tài)。有機(jī)半導(dǎo)體內(nèi)的這種電荷轉(zhuǎn)移摻雜所形成的給受體相互作用約為0.1eV,遠(yuǎn)高于常規(guī)有機(jī)半導(dǎo)體分子熱蒸發(fā)所需的能量(~0.05 eV),所以常規(guī)的退火和升發(fā)方法難以清除痕量的摻雜氧。


  研究者開發(fā)了一種基于軟等離子體的無損脫氧方法,成功實(shí)現(xiàn)了有機(jī)半導(dǎo)體中的痕量氧脫附(即去摻雜)。去摻雜后,有機(jī)半導(dǎo)體的場(chǎng)效應(yīng)性質(zhì)發(fā)生顯著衰減,由此揭示出痕量氧摻雜能夠預(yù)先填充禁帶內(nèi)的電荷陷阱,是有機(jī)半導(dǎo)體材料和器件所表現(xiàn)出的p型性質(zhì)的來源。這項(xiàng)發(fā)現(xiàn)意味著此前大量關(guān)于有機(jī)半導(dǎo)體本征性質(zhì)的研究實(shí)際上都是基于自然摻雜的材料,該發(fā)現(xiàn)能夠解釋目前有機(jī)半導(dǎo)體領(lǐng)域內(nèi)諸多難以理解的現(xiàn)象,有助于基礎(chǔ)理論體系的完善。


  研究者還開發(fā)了光氧協(xié)同處理再摻雜技術(shù):將去摻雜的器件置于O2中光照能夠可控地逆轉(zhuǎn)去摻雜過程,即在去摻雜過程中消失的p型性質(zhì)能夠可控地恢復(fù),這進(jìn)一步有力地證明了氧是有機(jī)半導(dǎo)體p型性質(zhì)的來源。與之相反, n型性質(zhì)則在去摻雜過程中大幅提高,通過再摻雜后復(fù)原,這也表明痕量氧是有機(jī)半導(dǎo)體電子輸運(yùn)能力受限的關(guān)鍵因素;谌诫s和再摻雜技術(shù),可實(shí)現(xiàn)對(duì)于有機(jī)半導(dǎo)體關(guān)鍵電學(xué)性能(如極性、電導(dǎo)率、閾值電壓和遷移率)的無損精確調(diào)控。這項(xiàng)工作擴(kuò)大了有機(jī)半導(dǎo)體材料的可探索性能空間,為其本征光電性質(zhì)和可控?fù)诫s的研究開辟了新思路。


  這項(xiàng)研究也證明大自然在氧摻雜方面的“精巧設(shè)計(jì)”是有機(jī)半導(dǎo)體起源和發(fā)展的重要原動(dòng)力。這一之前未被察覺的痕量氧摻雜無形中推動(dòng)著有機(jī)半導(dǎo)體的發(fā)展。若是沒有自然摻雜的痕量氧預(yù)填充有機(jī)半導(dǎo)體內(nèi)因較高的靜態(tài)/動(dòng)態(tài)無序而形成的電荷陷阱,大量有機(jī)半導(dǎo)體材料的電學(xué)性能將大幅下降?梢韵胂螅喝羰菦]有痕量氧摻雜,1986問世的首個(gè)有機(jī)薄膜晶體管可能難以檢測(cè)p型場(chǎng)效應(yīng)性質(zhì);科學(xué)家后續(xù)開發(fā)一系列高性能p型有機(jī)半導(dǎo)體的電學(xué)性質(zhì)將顯著降低,領(lǐng)域也會(huì)失去發(fā)展的動(dòng)力。 


1. a, DNTT單晶CO元素TOF-SIMS分析。插圖是深度輪廓的三維重建。b,從DNTT薄膜的UPS測(cè)量中提取的價(jià)帶光電子發(fā)射光譜和二次電子光譜。從UPS結(jié)果中得到電離能(IE)、真空能級(jí)(Evac)和注入勢(shì)壘(Einject),從紫外-可見吸收光譜中得到能隙(Eg),從而確定了HOMOLUMOEF的位置。c, 有機(jī)自由基陽離子和DMPO-OOHDMPO與超氧陰離子(O2?)的加合物)的EPR信號(hào),表明有機(jī)半導(dǎo)體中存在固有的氧摻雜。d,本研究所采用的有機(jī)半導(dǎo)體的分子式。 


2. 去摻雜前后DNTT薄膜的x射線衍射光譜(a)和原子力顯微鏡下的表面形貌圖像(b、c),顯示出去摻雜方法的無損特性。d, 去摻雜處理前后DNTT薄膜的UPS譜圖。e, 去摻雜前后DNTT薄膜中C、SO元素的TOF-SIMS分析。f, 在去摻雜處理下DNTT OFETp型轉(zhuǎn)移特性逐漸消失。g, FET法提取等離子體處理前后的OFET的陷阱DOS。h去摻雜前后OFET的能帶模型。
 

3. a, 在氧氣中進(jìn)行光照,去摻雜的DNTT OFETp型轉(zhuǎn)移特性逐漸恢復(fù)(即再摻雜過程)。等離子體20w”的紅色曲線與圖2f相同。b, c 超薄(5 nm) DNTT OFETH2、ArN2等離子體處理 (b) H2、H2O (Ar)、N2O2下光照(c)多次去摻雜和再摻雜過程的開關(guān)循環(huán)曲線。當(dāng)在H2H2O (Ar被用作載氣,通過帶水的氣體洗滌瓶傳遞H2O)N2中光照時(shí),電流顯示出略微的恢復(fù),這可能是由于這些氣體中殘留的O2(即使在純化過氣體中,氧氣仍以ppm的水平存在(99.999%))。d,不同波長(zhǎng)相同照射時(shí)間下,超薄(5 nm) DNTT OFET在再摻雜過程中的轉(zhuǎn)移曲線。e, f,有機(jī)陽離子自由基 (e) O2- (f) 在去摻雜和再摻雜過程中EPR信號(hào)的演變。g,去摻雜和再摻雜過程的示意圖,顯示了通過消除(等離子體處理)和再生(O2中光照)有機(jī)陽離子自由基和O2從固有摻雜狀態(tài)和去摻雜狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換。
 

4. 通過摻雜和去摻雜調(diào)控有機(jī)半導(dǎo)體器件的電子特性。a, PTCDI-C8 OFET的轉(zhuǎn)移曲線表名去摻雜去除痕量氧顯著增強(qiáng)了材料的電子輸運(yùn)性能,而再摻雜則逆轉(zhuǎn)了這一過程。b,5種典型n型有機(jī)半導(dǎo)體去摻雜后遷移率增加。精確調(diào)制C10-DNTT OFET的閾值電壓(從負(fù)(c)和正(d)值到接近零)。e, f,通過去摻雜將TIPS-Pentacene OFETp型傳輸轉(zhuǎn)化為n型傳輸。g, hN2200 OFET通過再摻雜從n型轉(zhuǎn)變?yōu)?/span>p型傳輸。

  這一成果近期發(fā)表在Nature Communications上,第一作者為天津大學(xué)博士后黃憶男李立強(qiáng)教授和陳小松副教授為該論文的通訊作者。天津大學(xué)有機(jī)集成電路教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室、天津市分子光電科學(xué)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室胡文平教授對(duì)本研究提供了支持和指導(dǎo)。該研究工作得到了國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃,國(guó)家杰出青年科學(xué)基金,國(guó)家自然科學(xué)基金,天津市自然科學(xué)基金,海河實(shí)驗(yàn)室的資助,并獲得蘇州納米真空互聯(lián)實(shí)驗(yàn)站(Nano-X)的技術(shù)支持。


  論文信息:

  https://doi.org/10.1038/s41467-024-44897-w

  Yinan Huang, Kunjie Wu, Yajing Sun, Yongxu Hu, Zhongwu Wang, Liqian Yuan, Shuguang Wang, Deyang Ji, Xiaotao Zhang, Huanli Dong, Zhongmiao Gong, Zhiyun Li, Xuefei Weng, Rong huang, Yi Cui, Xiaosong Chen*, Liqiang Li*, and Wenping Hu

  Unraveling the crucial role of trace oxygen in organic semiconductors

  Nat. Commun. 2024, 15, 626.

版權(quán)與免責(zé)聲明:中國(guó)聚合物網(wǎng)原創(chuàng)文章?锘蛎襟w如需轉(zhuǎn)載,請(qǐng)聯(lián)系郵箱:info@polymer.cn,并請(qǐng)注明出處。
(責(zé)任編輯:xu)
】【打印】【關(guān)閉

誠邀關(guān)注高分子科技

更多>>最新資訊
更多>>科教新聞