近年來,受益于國家政策的大力支持,我國的微電子封裝和集成技術(shù)高速發(fā)展,促使電子電力設(shè)備愈加趨向多功能化和高功率化。像小米“SU7”、華為“三折疊”等智能高端電力產(chǎn)品的問世,也標志著內(nèi)部熱管理系統(tǒng)的進一步集成化。從市場需求來看,2024年我國消費電子市場規(guī)模可達19772億元,其中,熱管理市場的規(guī)模到2025年有望突破1140億元。
然而,如何解決由高密度集成造成的信號傳輸質(zhì)量差和熱量積聚問題仍是制約電子、電力以及新能源領(lǐng)域創(chuàng)新發(fā)展的關(guān)鍵壁壘。目前,困于聚合物材料介電常數(shù)和導(dǎo)熱系數(shù)之間的固有權(quán)衡,如何建立雙效調(diào)控低介電常數(shù)和高導(dǎo)熱系數(shù)之間的普適機制仍鮮為人知。因此,進一步突破聚合物電介質(zhì)材料的低介電(<2.0)和高導(dǎo)熱特性(>10W/m?K)面臨著巨大挑戰(zhàn)。
圖1. “三明治結(jié)構(gòu)的PSLS薄膜的制備示意圖及其內(nèi)部結(jié)構(gòu)
圖2. PSLS薄膜的低介電和高絕緣性能的協(xié)同
同時,PSLS-8薄膜的面內(nèi)導(dǎo)熱系數(shù)高達13.58 W/m?K,克服了聚合物電介質(zhì)中存在的介電常數(shù)和導(dǎo)熱系數(shù)之間的傳統(tǒng)權(quán)衡。如圖3所示,LCaF2納米片可看作 “分子碎片”,在sCaF2/PI 基質(zhì)之間構(gòu)建網(wǎng)絡(luò),減少層間空隙和界面熱阻,受界面壓縮力的影響,中間層的CaF2納米片更傾向于 “面對面 ”接觸,從而有效促進水平方向的熱傳遞。通過有限元模擬和分子動力學(xué)計算充分驗證了所提出的 “多層3D多孔復(fù)合網(wǎng)絡(luò)”和“類晶相自組裝效應(yīng)”這種導(dǎo)熱特性增強策略的可靠性和普適性。
圖3. PSLS薄膜的高導(dǎo)熱特性及其內(nèi)部傳熱模擬
圖4. 以PSLS薄膜為基底的數(shù)顯熱聲發(fā)生器的設(shè)計及性能檢測
原文鏈接:https://doi.org/10.1002/adfm.202417843
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