發(fā)展高密度、高性能的存儲(chǔ)材料和器件是信息技術(shù)的重要基礎(chǔ),其中,提高信息存儲(chǔ)的開(kāi)關(guān)比對(duì)于提高存儲(chǔ)器件的性能具有重要意義。在國(guó)家自然科學(xué)基金委、科技部和中國(guó)科學(xué)院的支持下,中科院化學(xué)研究所有機(jī)固體實(shí)驗(yàn)室和新材料實(shí)驗(yàn)室的科研人員從材料的結(jié)構(gòu)性能關(guān)系出發(fā),在已有研究基礎(chǔ)上,設(shè)計(jì)制備了一系列新型有機(jī)光電功能薄膜,對(duì)分子結(jié)構(gòu)與光電信息存儲(chǔ)性能的關(guān)系進(jìn)行了深入研究(Adv. Funct. Mater. 2010, 20, 803-810;Adv. Mater. 2008, 20, 2888-2898),利用同一材料實(shí)現(xiàn)了光電雙重響應(yīng)的高密度信息存儲(chǔ)(Appl. Phys. Lett. 2009, 94, 163309; Appl. Phys. Lett.2009, 95,183307),并通過(guò)光電協(xié)同效應(yīng),實(shí)現(xiàn)了低能耗、高開(kāi)關(guān)比的信息存儲(chǔ)(J. Phys. Chem. C 2009, 113, 8548-8552)。他們還應(yīng)World Scientific出版社邀請(qǐng),出版了專(zhuān)著High Density Data Storage:Principle,Technology and Materials(World Scientific Publishing Co. Pte. Ltd., 2009)。
同時(shí),該課題組通過(guò)聚合物結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),通過(guò)噴涂(Macromol. Rapid Commun., 2009, 8, 598-603, Cover)、打。J. Mater. Chem. 2009, 19, 5499-5502,Back cover)等方法簡(jiǎn)便制備了大面積和圖案化的光子晶體,并發(fā)展了通過(guò)交聯(lián)提高光子晶體強(qiáng)度的通用方法 (Macromol. Rapid Commun. 2009, 7, 509-514, Back cover),為光子晶體的應(yīng)用打下基礎(chǔ)。他們進(jìn)一步發(fā)展了光子晶體在環(huán)境濕度(J. Mater. Chem. 2008, 18, 1116-1122, Cover) 、石油檢測(cè) (Adv. Funct. Mater. 2008, 20, 3258-3264) 以及化學(xué)振蕩體系的實(shí)時(shí)監(jiān)控(Macromol. Rapid Commun. 2009, 20, 1719-1724, Cover)等方面的應(yīng)用。
最近,他們結(jié)合信息存儲(chǔ)與光子晶體方面的研究基礎(chǔ),將光子晶體引入到光存儲(chǔ)體系中,發(fā)展了一種簡(jiǎn)單、有效的方法以提高光存儲(chǔ)體系的熒光開(kāi)關(guān)比。在這個(gè)光存儲(chǔ)體系中,利用光子晶體帶隙對(duì)光子的調(diào)控作用,將其作為一種新型光信息存儲(chǔ)基底材料。利用二芳基乙烯和香豆素在光照條件下的分子間能量轉(zhuǎn)移實(shí)現(xiàn)熒光的“開(kāi)”和“關(guān)”狀態(tài)。通過(guò)優(yōu)化光子晶體的結(jié)構(gòu)控制其光子帶隙,可以使熒光信號(hào)提高40倍,熒光開(kāi)關(guān)比提高了7倍。光子晶體體系的熒光存儲(chǔ)圖案質(zhì)量得到明顯提高。
該研究結(jié)果表明,通過(guò)光子晶體的帶隙設(shè)計(jì)可以大大提高熒光分子體系的信號(hào)強(qiáng)度和開(kāi)關(guān)比,對(duì)于發(fā)展高性能的光信息存儲(chǔ)及熒光檢測(cè)器件具有重要意義。該研究結(jié)果發(fā)表在近日出版的《先進(jìn)材料》(Adv. Mater. 2010, 22, 1237–1241)上, 并被 Nature Publishing Group 的Asia Materials選為研究亮點(diǎn)報(bào)道。
圖1 二芳基乙烯/香豆素薄膜在光子晶體表面及存儲(chǔ)應(yīng)用的示意
圖2 (a) 存儲(chǔ)薄膜在優(yōu)化光子晶體和玻璃(插圖)表面上的熒光光譜的變化及在光子晶體表面存儲(chǔ)薄膜的熒光峰強(qiáng)度的可逆變化循環(huán) (b);(c, d) 在玻璃和光子晶體表面的存儲(chǔ)薄膜經(jīng)掩膜在紫外光照射下形成的熒光信息存儲(chǔ)圖案。
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