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直流金屬真空弧源沉積Ti-O薄膜在模擬人體液中的耐腐蝕性能研究  
直流金屬真空弧源沉積Ti-O薄膜在模擬人體液中的耐腐蝕性能研究
資料類型： PDF文件
關(guān)鍵詞： Ti-O薄膜  直流金屬真空弧源沉積  腐蝕性能  生物材料表面改性  
資料大?。?/td> 78K
所屬學(xué)科： 模擬技術(shù)
來源： 來源網(wǎng)絡(luò)
簡(jiǎn)介：
采用直流金屬真空弧源沉積（DC-MVAD）在316L-SS銹鋼基體上沉積合成了Ti-O系薄膜。在Hank’s模擬人體液中，對(duì)DC-MVAD合成鈦氧薄膜進(jìn)行了開路電位、電化學(xué)極化以及電化學(xué)阻抗圖譜分析，顯示合成薄膜可明顯改善在人體環(huán)境中的耐腐蝕性能。隨著合成氧分壓的增加，薄膜的耐蝕能力增強(qiáng)。這主要是由于高O/Ti比的鈦氧薄膜具有更為穩(wěn)定的能量狀態(tài)、低的孔隙率所致。
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上傳時(shí)間： 2007-07-10 17:43:57
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