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摻鍺CZSi禁帶寬度的變化 |
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| 資料類型： |
PDF文件
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| 關(guān)鍵詞： |
直拉法 晶體生長 SiGe體單晶 禁帶寬度 |
| 資料大?。?/td>
| 293K |
| 所屬學科： |
分子表征 |
| 來源： |
來源網(wǎng)絡(luò) |
| 簡介： |
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采用近紅外分光光度儀（UV/VIS）測試了直拉法生長的摻雜不同Ge濃度的硅單晶樣品，得到了不同鍺濃度下1000~2000nm波長范圍內(nèi)樣品的透射率和反射率，利用相關(guān)公式計算出單晶的光學吸收系數(shù)，根據(jù)吸收系數(shù)與單晶禁帶寬度的關(guān)系式作圖，得到了不同鍺濃度樣品的禁帶寬度值。結(jié)果發(fā)現(xiàn)，隨鍺濃度的提高，樣品的禁帶寬度逐漸減小。這結(jié)論與理論結(jié)果相吻合。 |
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| 上傳人： |
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| 上傳時間： |
2007-07-06 12:58:16 |
| 下載次數(shù)： |
592 |
| 消耗積分： |
2
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| 相關(guān)評論 共有1人發(fā)表評論 |
更多評論 |
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| ye112 2008-11-10 17:15:29 |
| 寫得再詳細點好不 |
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