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> “紫外·可見·近紅外”全光譜響應(yīng)聚合物光電探測(cè)器
“紫外·可見·近紅外”全光譜響應(yīng)聚合物光電探測(cè)器
“紫外·可見·近紅外”全光譜響應(yīng)聚合物光電探測(cè)器
資料類型:
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資料大小:
681K
所屬學(xué)科:
分子表征
來(lái)源:
第十三屆全國(guó)應(yīng)用化學(xué)會(huì)議論文集(2013.8.23~26,長(zhǎng)春)
簡(jiǎn)介:
通過Suzuki偶聯(lián)反應(yīng),合成了基于噻吩一吡咯一噻吩(TPT)為電子給體,二氮雜并環(huán)戊二烯(DAP)為電子受體的D-A型窄帶隙共軛聚合物PTPTDAP[l],并以該聚合物與C60。衍生物PC61,BM以1:2的比例共混作為活性層,制備了器件結(jié)構(gòu)為ITO/PEDOT:PSS(30nm)/活性層(AC,100nm)/Al(IOOnm)的光電探測(cè)器件。在此基礎(chǔ)上,采用多種分析測(cè)試手段對(duì)所制備的聚合物及探測(cè)器件的性能進(jìn)行了研究。研究結(jié)果表明,所合成聚合物PTPDAP薄膜的吸收光譜含蓋了300-1100nm的較寬范圍,并且在600nm以后的紅光和近紅外光波段,具有較強(qiáng)的吸收,為其在全光譜響應(yīng)的光電探測(cè)上得以應(yīng)用奠定了基礎(chǔ)心[2-3]。由PTPTDAP所制備的光電探測(cè)器在不同偏壓下的外量子效率(EQE)如圖la所示,其光伏響應(yīng)范圍在300到1100nm之間,在-2V偏壓下800nm處的EQE達(dá)到了12%。歸一化探測(cè)度(D*)如圖lb所示,OV偏壓下,800nm處的D*為3×lollJones,從300-900nm范圍內(nèi),D*都穩(wěn)定地維持在10ll-1012Jones之間,說(shuō)明該聚合物光電探測(cè)器可以實(shí)現(xiàn)“紫外一可見一近紅外光”范圍內(nèi)的全光譜探測(cè)[3-4]。
作者:
齊 跡 錢 鋼 王植源
上傳時(shí)間:
2013-10-15 15:31:19
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244391284
2014-03-30 23:49:22
對(duì)光電探測(cè)器從可見不可見光幾個(gè)層面進(jìn)行了解析
你還沒有登錄,無(wú)法發(fā)表評(píng)論,請(qǐng)首先
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