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> 嵌段共聚物薄膜在化學(xué)圖案上的引導(dǎo)組裝
嵌段共聚物薄膜在化學(xué)圖案上的引導(dǎo)組裝
嵌段共聚物薄膜在化學(xué)圖案上的引導(dǎo)組裝
資料類型:
PDF文件
關(guān)鍵詞:
資料大小:
570K
所屬學(xué)科:
分子表征
來源:
第十三屆全國應(yīng)用化學(xué)會議論文集(2013.8.23~26,長春)
簡介:
從上世紀70年代的10μm制程技術(shù)開始到2012年英特爾量產(chǎn)22nmIvyBridge處理器,在過去的半個世紀里半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)給人類生活帶來了翻天覆地的變化。眾所周知,半導(dǎo)體行業(yè)采用光刻法來制造處理器?,F(xiàn)今業(yè)界采用的光刻光源是193nm紫外光,一次曝光只能制備節(jié)距不小于80納米的結(jié)構(gòu),想要制造更細微的納米結(jié)構(gòu),必須采用液浸曝光技術(shù)兩次或多次曝光[1]。迄今為止,業(yè)界仍未確定制備16nm或者更小的動態(tài)隨機存儲器或微處理器單元半節(jié)距(DRAMorMPUl/2pitch)的光學(xué)方案。但是,美國半導(dǎo)體研究聯(lián)盟遴選出潛在的可用于制備16和IInmMPU/DRAM的六種備選技術(shù),其中包括“DSA+litho”,即嵌段共聚物的引導(dǎo)組裝...
作者:
季生象
上傳時間:
2013-10-28 14:57:04
下載次數(shù):
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pangyy52
2014-05-04 12:04:02
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