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| 資料類型： |
PDF文件
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| 關(guān)鍵詞： |
太陽(yáng)電池 微晶硅 電導(dǎo)率 光學(xué)帶隙 |
| 資料大小： |
85K |
| 所屬學(xué)科： |
分子表征 |
| 來(lái)源： |
2004年第五屆中國(guó)功能材料及其應(yīng)用學(xué)術(shù)會(huì)議（9.12-9.16，北京.秦皇島） |
| 簡(jiǎn)介： |
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對(duì)等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積技術(shù)（PECVD）制備的微晶硅（μc-Si）薄膜的電導(dǎo)率、光學(xué)帶隙和晶化率隨溫度和功率的變化規(guī)律進(jìn)行了研究。從拉曼譜中可以明顯看出，隨著功率的增大，N型材料的非晶肩逐漸減小，材料的晶化率增大。隨著溫度的升高，P型材料的暗電導(dǎo)率和激活能都是先升高后降低。 |
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| 作者： |
蔡宏琨 郝延明 張德賢 林列
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| 上傳時(shí)間： |
2007-07-11 16:23:00 |
| 下載次數(shù)： |
633 |
| 消耗積分： |
2
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