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離子束濺射生長(zhǎng)非晶Si薄膜的研究  
離子束濺射生長(zhǎng)非晶Si薄膜的研究
資料類型： PDF文件
關(guān)鍵詞： 離子束濺射  非晶硅  喇曼散射  電阻率  
資料大小： 128K
所屬學(xué)科： 分子表征
來(lái)源： 2004年第五屆中國(guó)功能材料及其應(yīng)用學(xué)術(shù)會(huì)議（9.12-9.16，北京.秦皇島）
簡(jiǎn)介：
用離子束濺射法制備了不同襯底溫度的非晶硅（a-Si）薄膜，用雙四探針?lè)y(cè)量了不同溫度下的電阻率，用喇曼散射及原子力顯微鏡表征了薄膜顯微結(jié)構(gòu)。結(jié)果發(fā)現(xiàn)隨著襯底溫度的升高，薄膜的電阻率逐漸增大，襯底溫度為室溫的a-Si薄膜質(zhì)量較好且從其表面形貌可觀察到少量Si晶粒的存在。
作者： 鄧書(shū)康 陳剛 高立剛 陳亮 俞帆 方靜華 楊宇
上傳時(shí)間： 2007-07-13 14:50:06
下載次數(shù)： 643
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