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CdZnTe晶體(111)面、(110)面和(100)面的蝕坑形貌觀察  
CdZnTe晶體(111)面、(110)面和(100)面的蝕坑形貌觀察
資料類(lèi)型： PDF文件
關(guān)鍵詞： 晶體生長(zhǎng)  蝕坑密度  布里奇曼法  晶體定向  
資料大?。?/td> 400K
所屬學(xué)科：
來(lái)源： 來(lái)源網(wǎng)絡(luò)
簡(jiǎn)介：
利用CdZnTe晶體晶面夾角之間的關(guān)系采用激光正反射法對(duì)改進(jìn)布里奇曼法生長(zhǎng)的CdZnTe單晶進(jìn)行定向，研磨出了CdZnTe單晶體的（111）、（100）面。采用自行研制的HHKA腐蝕液對(duì)三個(gè)面進(jìn)行擇優(yōu)腐蝕，得到了（111）、（100）和（110）面的腐蝕照片，并計(jì)算出了蝕坑密度（EPD）約為104~105/cm2數(shù)量級(jí)。結(jié)果表明生長(zhǎng)晶體的質(zhì)量較好。
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上傳時(shí)間： 2007-07-06 13:35:45
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zhengsir2005    2009-03-20 13:43:28
very good
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