近日,復(fù)旦大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院熊詩圣教授研究團隊在溶劑蒸汽退火的對稱性三嵌段共聚物導(dǎo)向自組裝領(lǐng)域取得新進(jìn)展。相關(guān)研究成果以《對稱性三嵌段共聚物導(dǎo)向自組裝在溶劑蒸汽退火過程中的溶劑分布效應(yīng)》(The Solvent Distribution Effect on the Self-Assembly of Symmetric Triblock Copolymers during Solvent Vapor Annealing)為題在線發(fā)表于Macromolecules。
嵌段共聚物導(dǎo)向自組裝光刻技術(shù)(Directed Self-Assembly of Block Copolymer Lithography, DSA),是利用物理、化學(xué)性質(zhì)不同的多種單體聚合成嵌段共聚物,在退火條件下微相分離形成納米尺度的圖形,通過一定的方法將圖形誘導(dǎo)為所需規(guī)則化的納米級陣列,從而形成刻蝕模板進(jìn)行納米結(jié)構(gòu)的圖形轉(zhuǎn)移。此種技術(shù)充分利用了嵌段共聚物在薄膜中進(jìn)行自組裝的優(yōu)點,將“自下而上”的嵌段共聚物薄膜自組裝技術(shù)和“自上而下”的光學(xué)光刻或電子束光刻等制備導(dǎo)向圖形的技術(shù)結(jié)合起來,因為無需對應(yīng)最終高分辨率圖案的光源和掩膜版,具有低成本、高分辨率、高產(chǎn)率的本質(zhì)優(yōu)勢,成為半導(dǎo)體工藝技術(shù)中的研發(fā)熱點。因此,導(dǎo)向自組裝技術(shù)是一種將光學(xué)光刻技術(shù)與嵌段共聚物在薄膜中的自組裝特點結(jié)合起來應(yīng)用于制備超高分辨率圖形的技術(shù),再加上其完全能與目前支配半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的傳統(tǒng)光刻工藝高效兼容,被認(rèn)為是極具潛力的下一代光刻技術(shù)。
由于導(dǎo)向自組裝薄膜存在較高缺陷率的特點,成為限制其應(yīng)用的最大技術(shù)挑戰(zhàn)。薄膜缺陷水平與退火過程密切相關(guān),盡管傳統(tǒng)的熱退火在很大程度上提高了薄膜質(zhì)量,但對研究嵌段共聚物能垂直基底排列的化學(xué)機理非常有限;诖,研究團隊提出了新型的室溫溶劑蒸汽退火法,一種對促進(jìn)具有不同表面能的嵌段高分子進(jìn)行自組裝的非常行之有效的方法,因為其是在室溫下進(jìn)行,不僅能有效緩解高分子材料的性質(zhì)退化,還能在低于高分子熱分解溫度下促進(jìn)材料進(jìn)行自組裝,更為重要的是溶劑蒸汽退火可以降低不同嵌段共聚物區(qū)域表面能差別,在較大膜厚范圍內(nèi)促使整個薄膜的高分子相垂直于基底取向,進(jìn)而簡化圖案轉(zhuǎn)移工藝過程。
圖1 嵌段共聚物在不同濃度溶劑中的溶解情況模擬結(jié)果,(a) 所得薄膜的特征尺寸與溶解率的關(guān)系;(b)嵌段共聚物中的溶劑濃度分布情況。
研究團隊在先期研究(Xiong et. al., ACS Nano 2016, DOI:10.1021/acsnano.6b03667; Xiong et. al., Nanotechnology 2016, DOI:10.1088/0957-4484/27/41/415601)的基礎(chǔ)上,通過一系列實驗并結(jié)合蒙特卡洛模擬,研究了中性溶劑分布對嵌段共聚物導(dǎo)向自組裝的質(zhì)量以及動力學(xué)過程的影響,并選用良溶劑和劣溶劑作為溶劑蒸汽退火過程中對三嵌段共聚物VSV的影響對比,結(jié)果發(fā)現(xiàn)劣溶劑更能屏蔽共聚物嵌段之間的相互作用,而良溶劑由于較少可能屏蔽不同嵌段的相互聯(lián)系,可以促使具有較低分子質(zhì)量的三嵌段共聚物VSV有效自組裝。另外,在退火實驗中發(fā)現(xiàn)良溶劑在溶劑蒸汽退火過程中更能導(dǎo)致較慢的自組裝動力過程發(fā)生,圖案的特征尺寸和線邊緣粗糙度皆與劣溶劑退火過程有顯著差異。此項研究通過溶劑蒸汽退火過程中自組裝溶劑分布的研究,降低了成膜缺陷,對低分子量嵌段共聚物得到較為完美的取向控制,并成功制備了10納米以下特征尺寸的器件圖案。
圖2上圖是EUV光刻膠模板線寬尺寸的SEM圖,下圖為經(jīng)過三嵌段共聚物導(dǎo)向自組裝后的特征尺寸圖案。
此項工作是與芝加哥大學(xué)PAUL NEALEY組以及韓國研究組合作。
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