在材料的同一區(qū)域制造雙模式圖案是一種提高信息存儲(chǔ)密度和安全性的方法。然而同一材料中的相同區(qū)域存在兩種圖案一般會(huì)相互干擾。發(fā)展無(wú)干涉的雙模式圖案需要新的材料和新的圖案化技術(shù)。
近日,中科大吳思教授團(tuán)隊(duì)設(shè)計(jì)了新型可拉伸的光致固液轉(zhuǎn)變偶氮苯高分子,發(fā)展了正交光圖案化技術(shù)在該高分子上制備了無(wú)干擾的雙模式圖案。該成果以Designing rewritable dual-mode patterns using a stretchable photoresponsive polymer via orthogonal photopatterning為題目發(fā)表在Advanced Materials上。吳思教授是該論文的唯一通訊作者,中科大為第一通訊單位。
高分子上的無(wú)干擾雙模式圖案。Copyright Wiley-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.
吳思團(tuán)隊(duì)在光響應(yīng)高分子領(lǐng)域開(kāi)展了系統(tǒng)的研究,發(fā)表了系列工作(Nature Chemistry 2017, 9, 145;J. Am. Chem. Soc. 2021, 143, 12736;Adv. Mater. 2020, 32, 1908324;Adv. Mater. 2020, 32, 2004766;Adv. Mater. 2017, 29, 1603702;Adv. Mater. 2016, 28, 1208;Adv. Mater. 2015, 27, 2203;Angew. Chem. Int. Ed. 2019, 58, 9712;Angew. Chem. Int. Ed. 2016, 55, 12195;Nature Communications 2018, 9, 3842;Adv. Energy Mater. 2017, 7, 1601622;Adv. Funct. Mater. 2021, 2103908;Adv. Funct. Mater. 2020, 30, 1906752;Adv. Funct. Mater. 2020, 30, 1907605;Adv. Funct. Mater. 2018, 28, 1804227)。本工作是在前面的基礎(chǔ)上開(kāi)展的。
在這項(xiàng)工作中,吳思團(tuán)隊(duì)合成了一種未被報(bào)道過(guò)的同時(shí)具有光致固液轉(zhuǎn)變和可拉伸性的偶氮苯高分子,并提出了新的正交光圖案化技術(shù);谠摳叻肿拥墓庵鹿桃恨D(zhuǎn)變性質(zhì)和可拉伸性,光子結(jié)構(gòu)色作為反射模式和色偏振作為偏振模式的無(wú)干擾雙模式圖案被成功的制備,而在透射模式下該圖案能隱藏(圖1)。
圖1. (a) 在透射(a1)、反射(a2)和偏振(a3)模式下觀察的圖案化的偶氮聚合物P1的示意圖和照片。(b) P1的化學(xué)結(jié)構(gòu)和順?lè)词焦猱悩?gòu)化。(c) P1旋涂薄膜光照前、紫外光照后,以及可見(jiàn)光照后的紫外-可見(jiàn)吸收光譜。(d) 紫外和可見(jiàn)光交替照射10個(gè)周期后的紫外-可見(jiàn)吸收光譜變化。(e)、(f) 反式P1和順式P1流變學(xué)測(cè)試。Copyright Wiley-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.
正交圖案化技術(shù)的第一步是制備圖案化的光子結(jié)構(gòu)。首先,將具有四方陣列納米孔的PDMS模板1放置在一個(gè)平整的自支撐反式偶氮苯高分子P1薄膜之上,使用365 nm的紫外光誘導(dǎo)固液轉(zhuǎn)變,順式的液體高分子自發(fā)的被吸入PDMS的孔洞中。然后,使用530 nm的可見(jiàn)光誘導(dǎo)高分子固化,取下PDMS后形成光子結(jié)構(gòu)。為了制備圖案,通過(guò)“AZO”光掩膜施加紫外光,照射后的“AZO”區(qū)域變?yōu)橐后w,隨后,使用另一個(gè)具有六方陣列的橢圓納米孔的PDMS模板2緊貼在P1上,再使用530 nm的可見(jiàn)光誘導(dǎo)P1固化,并取下PDMS模板2(圖2a)。由于兩種陣列具有不同周期(圖2c,d),在相同角度的觀察角下呈現(xiàn)不同的結(jié)構(gòu)色(圖2e)。此外,光子結(jié)構(gòu)可以通過(guò)光致固液轉(zhuǎn)變進(jìn)行擦除(圖2b),并重寫(xiě)為“Material”和“Polymer”(圖2f,g)。
圖2. 在P1薄膜上制造和重寫(xiě)圖案化的光子晶體結(jié)構(gòu)。(a) 圖案化的光子結(jié)構(gòu)制作原理圖。(b) 紫外和可見(jiàn)光照射擦除后得到平整的反式P1薄膜的AFM圖。(c) 橢圓納米結(jié)構(gòu)的六邊形陣列的AFM圖。(d) 圓柱納米結(jié)構(gòu)的四邊形陣列的AFM圖。(e-g) 圖案化的光子晶體結(jié)構(gòu)照片,(e) “AZO”圖案,(f) 重寫(xiě)為“Material”,(g) 然后重寫(xiě)為“Polymer”。Copyright Wiley-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.
正交圖案化技術(shù)的第二步是制備色偏振圖案(圖3a)。P1具有較好的可拉伸性(圖3b),當(dāng)P1拉伸時(shí)主鏈發(fā)生平行于拉伸方向的取向(圖3a2),該結(jié)果通過(guò)SAXS得到證實(shí)(圖3c)。拉伸后的P1在正交偏振片下呈現(xiàn)豐富的色彩(圖3e-g);這種現(xiàn)象稱為“色偏振”。隨后使用530 nm偏振光照射使偶氮苯發(fā)生垂直于偏振光方向的取向(圖3a3),該結(jié)果通過(guò)偏振紫外-可見(jiàn)吸收光譜證實(shí)(圖3d)。通過(guò)不同偏振光角度光照后的薄膜在正交偏振片下呈現(xiàn)豐富的色彩(圖3h-j),這是由于偶氮苯取向的改變導(dǎo)致相位延遲變化。色偏振的顏色是由主鏈和側(cè)鏈的取向共同調(diào)控的。
圖3. P1薄膜的色偏振圖案制備過(guò)程。(a) 高分子主鏈的拉伸取向和側(cè)鏈的光致取向示意圖。(b) P1應(yīng)力應(yīng)變曲線。(c) 0%和20%應(yīng)變的P1的SAXS譜。(d) 530 nm偏振光照射20%應(yīng)變的P1薄膜的偏振紫外-可見(jiàn)吸收光譜。(e-g) 正交偏振片之間不同應(yīng)變的P1薄膜照片, 透射光譜和CIE-1931色度圖。(h-j) 20%拉伸P1薄膜在530 nm偏振光照射之前和之后的照片,透射光譜和CIE-1931色度圖。(k) 制備色偏振圖案的示意圖和偏光顯微鏡(POM)圖像。Copyright Wiley-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.
經(jīng)過(guò)上述兩種方法的設(shè)計(jì),吳思團(tuán)隊(duì)成功制作了無(wú)干涉雙模式圖案。在P1薄膜上首先進(jìn)行光納米壓印制備了光子晶體結(jié)構(gòu),再將薄膜拉伸、通過(guò)掩膜施加530 nm偏振光照,成功實(shí)現(xiàn)了無(wú)干擾雙模式圖案化(圖4a)。由于偏振光只會(huì)改變偶氮苯的取向,不會(huì)改變光子結(jié)構(gòu),色偏振圖案可以單獨(dú)通過(guò)偏振光進(jìn)行擦除和重寫(xiě)(圖4b)。P1還可以通過(guò)熱加工或溶液加工進(jìn)行重塑(圖4c)。重塑后的P1薄膜力學(xué)性能沒(méi)有發(fā)生明顯改變(圖4d-e)。
圖4. 非干涉雙模式圖案的制備、重寫(xiě)和再加工過(guò)程。(a) 利用530 nm偏振光通過(guò)光控壓印、拉伸和掩模照射制備非干涉雙模圖案。(b) 擦除和重寫(xiě)雙模式圖案。(c) 對(duì)具有雙模式圖案的P1薄膜進(jìn)行再加工。(d-f) P1三次熱后處理和溶液后處理前后的應(yīng)力應(yīng)變曲線、拉伸強(qiáng)度和斷裂伸長(zhǎng)率統(tǒng)計(jì)圖。Copyright Wiley-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.
與單模式圖案相比,雙模式圖案具有更高的防偽安全性。光子晶體結(jié)構(gòu)色可以通過(guò)彎曲實(shí)現(xiàn)可見(jiàn)和隱藏之間的切換(圖5a)。吳思團(tuán)隊(duì)展示了雙模式的P1薄膜在書(shū)法卷軸的防偽應(yīng)用(圖5b)。此外,由于在高溫下聚合物主鏈會(huì)發(fā)生松弛,導(dǎo)致色偏振顏色變化,這種熱響應(yīng)特性可以作為高溫不穩(wěn)定藥物的指示標(biāo)簽(圖5c)。
圖5。(a) 通過(guò)彎曲使光子結(jié)構(gòu)在可見(jiàn)和隱藏之間的切換。(b) 使用雙模式圖案化的P1薄膜作為書(shū)法卷軸的防偽標(biāo)簽。(c) 具有雙模式圖案的P1薄膜被用作藥物的熱響應(yīng)防偽標(biāo)簽。Copyright Wiley-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.
總之,無(wú)干擾雙模式圖案提高了存儲(chǔ)信息的密度和加密安全性。本研究為光圖案材料和多模式圖案技術(shù)的發(fā)展開(kāi)辟了一條新的途徑,對(duì)基礎(chǔ)研究和技術(shù)應(yīng)用都具有重要意義。
該工作得到了國(guó)家自然科學(xué)基金重點(diǎn)國(guó)際(地區(qū))合作研究項(xiàng)目、面上項(xiàng)目、中央高校基本科研業(yè)務(wù)費(fèi)專項(xiàng)資金、安徽省自然科學(xué)基金、合肥市自然科學(xué)基金等項(xiàng)目的資助。
論文鏈接:
https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/adma.202202150
https://onlinelibrary.wiley.com/doi/epdf/10.1002/adma.202202150
https://doi.org/10.1002/adma.202202150
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