在D-A共軛聚合物的受體單元上引入氟取代基,由于可以在不影響聚合物吸收光譜和遷移率的前提下,有效降低聚合物的HOMO能級,進而提高器件的開路電壓和光伏性能,成為近幾年來的研究熱點;但是受限于受體單元在引入氟取代基時的選擇性,這種方法只能應(yīng)用于少數(shù)的聚合物光伏材料體系,因而,如何有效的拓展其在聚合物光伏材料體系中的應(yīng)用具有十分重要的科學意義。
在中國科學院、科技部、國家自然科學基金委和化學所的大力支持下,化學所高分子物理與化學國家重點實驗室相關(guān)研究人員首次提出了在D-A共軛聚合物給體單元共軛側(cè)鏈上引入氟取代基的設(shè)計思路,發(fā)明了在聚合物給體單元共軛側(cè)鏈引入氟取代基的合成方法(專利申請?zhí)枺?01310302374.4),并設(shè)計合成了一系列聚合物光伏材料(Adv. Mater., 2014,26, 1118-1123)。結(jié)果表明:引入氟取代基后,聚合物的吸收光譜和遷移率幾乎沒有變化,聚合物的HOMO能級明顯下降;相對于在受體單元上引入氟取代基,在給體單元共軛側(cè)鏈上引入氟取代基能更加有效的降低聚合物的HOMO 能級;在給受體單元上氟取代基的協(xié)同作用下,聚合物的HOMO能級下降0.30eV;相應(yīng)光伏器件的開路電壓提高0.22V, 能量轉(zhuǎn)化效率從4.5%提高到8.6%。這一研究結(jié)果突破了氟取代基在調(diào)節(jié)聚合物分子能級方面的局限性,首次成功的實現(xiàn)了在給體單元上引入強吸電子基團調(diào)節(jié)聚合物分子能級的設(shè)計理念,為聚合物光伏材料的分子設(shè)計提供了新的思路和方法,將極大的促進新型高效聚合物光伏材料的發(fā)展。
圖1 聚合物的分子結(jié)構(gòu)和相關(guān)的光伏性能參數(shù)
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