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BST類鐵電薄膜的最低晶化溫度和自組裝生長研究  
BST類鐵電薄膜的最低晶化溫度和自組裝生長研究
資料類型： PDF文件
關(guān)鍵詞： 鐵電薄膜  BST  外延生長  LMBE  
資料大?。?/td> 226K
所屬學(xué)科：
來源： 來源網(wǎng)絡(luò)
簡介：
利用激光分子束外延技術(shù)（LMBE）在Si(111)、SrTiO3（100）單晶基片上在（10-5Pa）高真空環(huán)境中外延生長SrTiO3（STO）、BaTiO3（BTO）、Ba0.6Sr0.4TiO3（BST）鐵電薄膜。通過反射高能電子衍射（RHEED）實(shí)時監(jiān)測薄膜生長，并結(jié)合原子力顯微鏡（AFM）分析薄膜的生長模式。根據(jù)RHEED衍射強(qiáng)度振蕩曲線及衍射圖樣的變化確定動態(tài)和靜態(tài)最低晶化溫度，發(fā)現(xiàn)STO、BTO、BST三種鐵電薄膜可以分別在280℃、330℃、340℃的低溫下實(shí)現(xiàn)外延層狀生長。當(dāng)保持BTO(110)/Si（111）層狀生長，逐漸降低沉積速率時,發(fā)現(xiàn)這種層狀模式中每層高度是由整數(shù)倍單胞堆積而成，并且隨著沉積速率從0.017nm/s降低到0.005nm/s時，每層高度由9降低到1個BTO單胞構(gòu)成，這對由ABO3鈣鈦礦材料自組裝形成納米結(jié)構(gòu)具有重要意義。
上傳人：
上傳時間： 2007-07-13 13:23:38
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