無機P-N結廣泛應用于我們的日常生活中如集成電路、太陽能電池和通信系統(tǒng)等,但是全有機P-N結卻鮮有報導。無機半導體通?梢岳门鸷土讚诫s硅分別得到P型和N型半導體,理論上可以通過單一有機材料的化學摻雜來創(chuàng)建P-N結,但是基于單一有機材料的高性能P-N結很少報導,因為摻雜劑的擴散通常會導致材料產(chǎn)生瞬態(tài)的整流效應。
西安交通大學王洪教授團隊利用單一有機材料,單一摻雜劑,通過改變摻雜劑的摻雜濃度,使有機聚合物材料同時具有P型和N型這一特點,用簡單的滴涂方法,在玻璃片或者聚四氟乙烯膠帶上滴上制備得到的N型的材料,之后刮去一端,滴上P型的材料,制備出了全有機平面P-N結,該平面P-N結具有~3.83 A/cm2的高電流密度和~2100的高整流比。這種P-N結還具有良好的穩(wěn)定性,在手套箱中存儲一個月之后仍然具備整流效果,作者進行了一系列譜圖表征,分析解釋聚合物發(fā)生極性轉換的原因,用半波進一步測試了整流效果。
圖1. (a)三個D-A聚合物,T2-DPPT, DPPTTT和 T-DPPT的分子結構。(b)平面P-N結的制備過程。(c) 三個D-A聚合物T2-DPPT, DPPTTT和T-DPPT制備出的P-N結的電流密度隨偏置電壓(-5V到+5V)的變化圖。(d)本文全有機平面P-N結和文獻報導的全有機P-N結的電流密度的比較。(e)當輸入電壓為-5 V到+5V時T2-DPPT的電流密度隨電壓的變化圖。
電流密度隨偏置電壓的變化,測試結果表明T2-DPPT, DPPTTT和T-DPPT制備出的P-N結具有良好的整流特性,正向偏置電流密度分別高達3.83 A/cm2,3 A/cm2和1.47 A/cm2 。
圖2. 三個聚合物T2-DPPT, DPPTTT, T-DPPT的電導率(a)和塞貝克系數(shù)(b)隨FeCl3的濃度的變化。T2-DPPT (c), DPPTTT (d)和T-DPPT (e)摻雜之前和被10-84 wt. % FeCl3摻雜之后的UV-vis-NIR譜圖。(f)從UV-Vis-NIR中獲得的三個聚合物分子被FeCl3摻雜過程中的Ipolaron/Ineutral。
紫外可見近紅外測試表明用FeCl3摻雜會使薄膜中極化子含量增多并逐漸趨近穩(wěn)定,此時材料為P型,當進一步增加摻雜劑FeCl3的濃度時,極化子含量開始增加,此時材料為N型,更進一步增加摻雜劑濃度,極化子含量達到第二個穩(wěn)定值。
圖3. D-A共聚物 T2-DPPT(a), DPPTTT(b), 和T-DPPT (c) 摻雜前后的UPS譜圖。(d) 樣品和探針之間的接觸電勢差。(e) 用紫外光電子能譜 (UPS)測得的未摻雜的T2-DPPT, DPPTTT和T-DPPT的HOMO起始位置。(f) D-A共聚物的光學帶隙。(g) 由上述表征獲得的能帶圖。
UPS和開爾文探針測試表明摻雜會使材料的費米能級向HOMO能級移動,進一步摻雜會使費米能級位于HOMO能級的下方,這是增加摻雜劑的濃度塞貝克系數(shù)變?yōu)樨撝档脑蛑弧?
圖4. D-A共聚物的XPS譜圖:(a) (b) (c) C 1s, (d) (e) (f) N 1s。(g)摻雜過程中的分子結構的變化。
XPS測試表明摻雜過程中會使聚合物的C元素峰發(fā)生位移,這可能是FeCl3氧化聚合物中的噻吩導致的。摻雜量進一步增大時,聚合物中N元素的峰的個數(shù)發(fā)生變化從一個峰~400 eV (N)到多了一個~402 eV (N+)的峰,說明 N的價態(tài)了發(fā)生變化,這可能是聚合物中DPP中的N元素被FeCl3氧化引起的,也可能是用單一的P型氧化劑實現(xiàn)聚合物從P型變成N型的原因之一。
圖5. (a)P-N結頻率測試電路圖。T2-DPPT (b)(e), DPPTTT (c) (f), 和T-DPPT(d)(g)制備出的P-N結的整流行為。
半波測試表明,這種P-N結具備將交流電壓轉變?yōu)橹绷麟妷旱哪芰ΑT陬l率較低的時候半波整流效果很好,較高頻率下的半波整流效果良好。
相關工作以“Lateral Fully Organic P-N Diodes Created in A Single donor-acceptor Copolymer”為題發(fā)表在國際知名雜志《Advanced Materials》上。西安交通大學王洪教授為論文通訊作者,博士生王晶為論文第一作者。該論文獲得了國家自然科學基金等基金資助。
論文鏈接:https://doi.org/10.1002/adma.202106624
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