福建物構所黃偉國研究員、方偉慧研究員 Adv. Mater.：在打破聚合物介電常數(shù)和損耗之間的“平衡”關系取得新進展
2023-09-05 來源：高分子科技
場效應晶體管（FET）是CPU、傳感器和顯示器的核心部件，其中，介電層對調節(jié)晶體管的整體性能方面具有至關重要的作用。目前，電介質材料仍然存在多種缺點，比如具有強偶極子耦合的鐵電材料或極性聚合物電介質中的高極性基團在高電場下表現(xiàn)出明顯的極化滯后，導致器件的高損耗。具有高介電常數(shù)的納米顆粒添加劑雖可有效提高聚合物薄膜的電容，但同時也會增加漏電損耗并降低介電層的擊穿強度。因此，聚合物介電常數(shù)和損耗之間的內在平衡已經(jīng)嚴重阻礙了高性能聚合物介電材料的發(fā)展。
聚合物電介質設計策略的比較
原文鏈接：https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/adma.202306260
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