過渡金屬二硫族化合物（Transition-metal dichalcogenides, TMDs)作為范德華（van der Waals, vdW）層狀材料的重要成員，過去十幾年來受到研究人員的廣泛青睞。目前，大量研究集中于單層vdW材料的合成，相比而言，納米片有著單層晶體所缺乏的獨特性質(zhì)，包括豐富的離子通道，大量的活性位點，高載流子密度以及較大的光譜響應范圍等。然而，由于vdW材料缺少面外化學鍵，使得相鄰層之間的作用力極弱，進而導致厚層納米片的化學氣相生長存在較大挑戰(zhàn)。此外，傳統(tǒng)化學氣相輸運或化學氣相沉積法（Chemical vapor deposition, CVD）一般是基于氣-固-固（Vapor-Solid-Solid, VSS）機理，高擴散性的氣態(tài)源往往會導致隨機形核及晶體隨機生長，使得所得晶體在電子或光電等要求陣列器件的應用中受到極大限制。
圖一、自錨定范德華堆疊生長與表面自限生長的過程對比
圖二、自錨定范德華堆疊生長所得納米片的結(jié)構(gòu)表征
圖四、a) 高溫原位可視化設備及源物質(zhì)的自組裝過程截圖；b-e) 納米片結(jié)構(gòu)表征；f-i）基于WSe2納米片的光電陣列器件展示及光電性能測試
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論文信息：
https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/adma.202407586
Self-Anchored Van-Der-Waals Stacking Growth of Transition-Metal Dichalcogenide Nanoplates
Dingding Jiang#, Ya-Nan Tang#, Di Wang, Xiangpeng Xu, Jiang Sun, Rong Ma, Wenhao Li, Zhiya Han, Yunqi Liu*, Dacheng Wei*
Advanced Materials, 2024, DOI: 10.1002/adma.202407586
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