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中科院化學(xué)所在有機(jī)場效應(yīng)晶體管研究方面取得系列進(jìn)展
2011-01-04  來源:中國聚合物網(wǎng)

    相對于p-型有機(jī)半導(dǎo)體而言,n-型有機(jī)半導(dǎo)體還存在遷移率低和穩(wěn)定性差的缺點(diǎn),化學(xué)所有機(jī)固體院重點(diǎn)實驗室相關(guān)人員結(jié)合他們自己的研究結(jié)果(J. Am. Chem. Soc., 2005, 127, 8614; Adv. Mater., 2009, 21, 1631; Nano Lett., 2009, 5, 1752),總結(jié)了最近5年n-型半導(dǎo)體在性能和分子設(shè)計上的發(fā)展,分析了目前阻礙n-型場效應(yīng)晶體管研究發(fā)展的因素,重點(diǎn)從晶體管的結(jié)構(gòu)與組成,分子設(shè)計和薄膜生長條件等方面,提出了解決方法以期突破n-型場效應(yīng)晶體管目前研究的瓶頸。論文以Progress Report的形式發(fā)表在Adv. Mater., 2010, 22, 1331-1345上。

    功能性有機(jī)場效應(yīng)晶體管將擴(kuò)展OFET應(yīng)用領(lǐng)域,化學(xué)所有機(jī)固體院重點(diǎn)實驗室研究人員在這方面做了深入的研究,制備了高性能的有機(jī)薄膜,單晶的光晶體管器件以及多比特存儲的有機(jī)場效應(yīng)晶體管存儲器件(Appl. Phys. Lett., 2009, 94, 143303; Adv. Funct. Mater., 2010, 20, 1019-1024; Adv. Mater., 2009, 21, 1954-1959)。最近,他們應(yīng)《先進(jìn)材料》雜志邀請撰寫了綜述性論文“Functional Organic Field-Effect Transistors”,并以內(nèi)封面(圖4)的形式發(fā)表(Adv. Mater. 2010, 22, 4427-4447)。

 

   圖4. 《先進(jìn)材料》內(nèi)封面

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