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負(fù)偏壓增強(qiáng)金剛石膜與襯底結(jié)合強(qiáng)度的理論研究  
負(fù)偏壓增強(qiáng)金剛石膜與襯底結(jié)合強(qiáng)度的理論研究
資料類型: PDF文件
關(guān)鍵詞: 金剛石膜  硅襯底  結(jié)合力  
資料大?。?/td> 100K
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由于金剛石與Si有較大的晶格失配度和表面能差,利用化學(xué)氣相沉積(CVD)制備金剛石膜時(shí),金剛石在鏡面光滑的Si表面上成核率非常低。而負(fù)襯底偏壓能夠提高金剛石在鏡面光滑的Si表面上的成核率,表明金剛石核與Si表面的結(jié)合力也得到增強(qiáng)。利用負(fù)偏壓增強(qiáng)CVD系統(tǒng)制備金剛石膜時(shí),氣體輝光放電產(chǎn)生的離子對(duì)Si表面轟擊,使得Si襯底表面產(chǎn)生了微缺陷(凹坑),增大了金剛石膜與Si襯底的結(jié)合面積。本工作主要從理論上研究離子轟擊對(duì)金剛石膜與Si襯底結(jié)合力的影響。
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上傳時(shí)間: 2007-07-11 14:23:33
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